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难道华为“平台”的天岳式进步不值得第三代半导体“全村的希望”吗?

发布于:2024-06-28 编辑:匿名 来源:网络

*转载文章不代表本站观点。

本文来自微信公众号“阿尔法工场研究院”(alpworks)作者:王佳元新年最后一天,华为轮值董事长郭平发表新年致辞,披露华为新一年略显无奈的经营状况。

全年华为营收1亿,同比下降28.9%。

2019年,美国升级华为芯片管控令正式生效,台积电停止为华为生产麒麟芯片。

此举对华为手机业务造成了沉重打击。

如今,华为已不再跻身手机厂商前五之列。

曾经称霸全球的华为手机在统计中被归为“其他”,令人悲哀。

这一切都源于国内高端半导体产业无法实现自主可控。

没有相关技术,被国外“卡住”是必然的。

作为国内第三代半导体碳化硅衬底的领军企业,天岳先进(34)即将登陆科创板,丰富国内半导体产业版图。

华为旗下哈勃投资于2016年投资该公司,绑定国内技术龙头,天岳上市更引起市场关注。

天岳主营第三代半导体,被视为“全村的希望”。

在国外一些发达国家对我国实施技术封锁和产品禁运的背景下,天岳的未来注定不会一帆风顺。

第三代半导体是兵家必争之地。

半导体已经渗透到生活的方方面面。

它们是电子产品的核心,是信息产业的基石。

它们也被称为现代工业的“粮食”。

那么什么是半导体呢?常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料,以及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。

广义上讲,半导体是指用半导体材料制成的芯片或器件。

其中以硅基集成电路最为常见,我们熟悉的CPU和GPU芯片就属于这一类。

通俗地说,这种芯片就是在硅晶圆上印制电路,将其变成小型化的高速计算器。

目前,90%以上的半导体产品都是由硅基材料制成,业内统称为第一代半导体。

中国大陆第一代半导体起步较晚,与国际巨头存在较大差距。

举个简单的例子,台积电和三星在2018年已经能够量产5纳米工艺的芯片;而国内龙头企业中芯国际只有14纳米成熟工艺。

要知道,高端手机芯片已经达到了14纳米工艺。

看似10纳米的微小差距,实际上是巨大的代际差距。

虽然近年来国家大力支持半导体产业发展,相关产业也快速发展,但技术突破并非一朝一夕,行业经验需要时间积累。

第一代半导体制造工艺的落后,导致国内芯片设计厂商受制于人。

上述针对华为的制裁就是典型案例之一。

然而,希望总是存在的。

随着智能化的普及,第三代半导体也逐渐找到了适合自己的业务定位。

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料,拥有很多更优势的物理性能,更适合高温、高压、高频场景,比如各大手机厂商的快充头。

它是依靠氮化镓器件来实现的。

(第一代和第三代半导体材料各有优缺点,不存在绝对替代关系,而是在具体应用场景下各有比较优势。

)一般来说,第三代半导体分为分解为碳化硅和氮。

镓的两个应用分支。

两者都需要碳化硅衬底,然后进行外延(在衬底上沉积一层单晶)。

区别在于两者的碳化硅衬底不同,最终的应用方向也不同。

氮化镓需要在半绝缘碳化硅衬底上外延沉积氮化镓。

碳化硅需要通过在导电碳化硅衬底上外延碳化硅来沉积。

资料来源:公司招股说明书 第三代半导体产业在全球仍处于早期发展阶段。

尽管国际巨头在技术和经验上仍领先于国内厂商,但与第一代半导体的差距相比,国内与国际巨头公司的整体技术差距较小。

另外,由于第三代半导体下游工艺更具包容性和包容性,下游制造工艺对设备的要求相对较低,投资金额也相对较小。

制约行业发展的关键是上游材料端(基材)。

碳化硅半导体未来将在5G基站建设、特高压、新能源汽车充电桩等新基建领域发挥重要作用。

如果国家能够在上游衬底材料产业上取得突破,将有望实现半导体产业的换道和超车。

难道华为“平台”的天岳式进步不值得第三代半导体“全村的希望”吗?

行业发展确定性高,科技含量高。

然而,国内半绝缘碳化硅衬底的发展却十分曲折。

《瓦森纳协定》,对半绝缘碳化硅衬底材料有明确的限制。

一些西方发达国家作为协议成员国,对中国实施严格的禁运,限制了国内半导体产业的发展。

特别是近期受贸易摩擦影响,美国代表性企业对华出口呈现明显下降趋势。

以第三代半导体龙头CREE为例。

其本财年对中国的销售额为1.16亿美元,到本财年下降至6500万美元。

从这个角度我们可以看到,国外半导体巨头纷纷禁止对华销售,封锁高端半导体相关原材料,试图遏制中国半导体产业的发展。

图片来源:Cree官网 “十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域,并上升为国家战略,这足以凸显第三代半导体的重要性。

在当今科技为王的时代,这一领域自然成为了全世界的兵家必争之地。

缺乏市场交叉验证天岳成立于2001年,主营业务为第三代半导体碳化硅衬底材料。

属于第三代半导体上游,为终端射频或功率器件提供原材料。

公司主要产品包括半绝缘型和导电型。

碳化硅衬底。

上市前,资本市场就对其寄予殷切期待。

然而,仔细观察天岳的业务结构就会发现许多令人担忧的领域。

招股书显示,半绝缘基板业务营收占比最高,全年达到81.62%。

其次是其他收入,导电基材业务占比较低。

资料来源:公司招股说明书,阿尔法工厂研究院整理。

据Yole统计,天岳半绝缘碳化硅衬底市场份额从2018年的18%增长到2018年的30%,在该市场位居全球前三。

资料来源:公司招股说明书 Yole市场份额的大幅提升通常代表着市场的认可,象征着该公司的产品得到了更多客户的认可。

然而,天岳的客户集中度远高于同行,这大大降低了其增加市场份额的价值。

2017年,公司前五名客户合计贡献了80%以上的收入。

2019年上半年达到惊人的91.68%,呈现集中度不断提升的趋势。

尤其是排名前两位的客户,合计贡献了约60%的收入,公司并没有直接透露他们的名字,只是将他们称为客户A和客户B。

根据招股书中的其他信息,仍然存在着客户A和客户B的痕迹。

匿名客户A和B。

资料来源:公司招股说明书,阿尔法工厂研究院整理。

客户A主要服务于航空航天、定位导航等市场。

其所在领域比较敏感,承载的国家重大项目较多,目标也比较明确。

客户B属于通信行业,主要使用信息通信射频设备,为本公司关联方。

虽然看似市场占有率较高,但实际上大部分业务均由前两名客户承担,公司半绝缘碳化硅衬底的市场竞争力尚未得到充分验证。

我们不禁要问:天岳的碳化硅衬底产品是否得到了市场的广泛认可?有媒体甚至形容:“两个客户把天岳带到了IPO”。

国内半导体企业在国外封锁下发展举步维艰。

国产替代是唯一出路,否则“自主可控”就无从谈起。

然而,天岳对进口原材料和设备的依赖也是一个不容忽视的问题。

天岳公司部分原材料和生产设备需要向国外供应商采购,比例超过70%。

截至2019年6月30日,公司现有无国产替代进口设备的加工、检测设备原值1万元,有国产替代的进口设备原值1万元。

诚然,由于碳化硅衬底生产工艺技术要求较高,短期内原材料和生产设备依赖进口不可避免,国产化进程还需要时间期待。

但客户A和客户B也曾在类似情况下受到国外上游的限制。

他们通过天岳成功地实现了本地化替代,解决了他们的问题。

如果未来天岳的上游受到外国的限制,天岳该如何打破这种局面呢?因此,在当今不稳定的国际环境下,依赖国外供应商的风险不容低估。

其他业务占比过高。

根据该公司招股说明书,其他业务是指在销售和生产过程中销售不能满足半导体级要求的硅锭和不合格基板。

这些不合格产品并非无用的“次品”。

非半导体级半绝缘碳化硅锭可作为宝石锭加工成首饰,进入消费品市场。

不合格的基材也可用于消费品市场。

可用于设备研发测试或科学研究。

这种“旱涝保收”的局面,无疑有利于天岳的早期发展。

为公司带来稳定的保证毛利,提高主营业务研发的容错率,帮助公司主营业务在试错中持续发展。

但其他业务的毛利率有时甚至超过其主营的半绝缘基板业务的毛利率。

良品率低,说明天岳的科技含量还有很大的提升空间。

资料来源:公司招股书,阿尔法厂研究院整理碳化硅衬底行业是技术密集型行业,是多学科知识的应用。

一般工艺流程为:以高纯碳粉和高纯硅粉为原料合成碳化硅粉。

在特殊温度场下,采用成熟的物理气相传输法(PVT法)生长碳化硅锭并加工成碳化硅锭。

然后将硅锭加工成碳化硅衬底。

资料来源:公司招股书 对于第三代半导体来说,整体良率是考验公司的门槛。

有两个标志性节点:中间环节的铸锭和最终产品的基板。

这两个节点的良率也是碳化硅生产企业核心技术的体现。

从今年到今年上半年,天岳的良率稳步提升,说明公司的经验和技术都在进步。

最终合格基板的良率是各阶段分良率的乘积。

也就是说,最终主营业务收益率不足40%。

天岳在提高产量方面还有很长的路要走。

资料来源:公司招股说明书,阿尔法工厂研究院整理。

作为高新技术企业,其他业务占比太高(大幅超过导电基材),这毕竟还是有点尴尬。

两家珠宝客户稳居公司前五名客户之列,分别是深圳市锡汇天成珠宝有限公司和广西梧州星月珠宝有限公司。

据了解,客户A和客户B是主营业务的主要销售对象半绝缘碳化硅基板,那么这两家珠宝公司支持该公司的其他业务。

资料来源:公司招股说明书,阿尔法工厂研究院整理。

如果排除客户A和客户B,天岳是否会被归类为珠宝概念股?半绝缘衬底等业务占据营收和毛利的大部分,而导电碳化硅衬底的市场化还很遥远。

来源:公司招股书,阿尔法厂研究院整理导电碳化硅基板,唯恐错过“新能源盛宴”。

2020年1月4日,天岳公布了分班结果。

天岳与上汽、广汽、小鹏汽车、宁德时代等知名企业签署战略配售协议。

战略投资者有一个共同点——都是新能源汽车的参与者。

未来,碳化硅在新能源领域的发展已基本达成共识。

特别是与小鹏汽车的战略配售协议提到了未来的发展方向,主要是基于碳化硅的芯片V高压平台和KW超快充电桩。

随着新能源汽车的普及,对快速充电的需求不言而喻,而高速充电就意味着高电压、高频率。

因此,碳化硅(导电碳化硅衬底)的性能优势给行业的发展带来了巨大的利好。

想象空间。

据Yole数据显示,碳化硅功率器件(依赖导电碳化硅衬底)的年市场规模为5.41亿美元。

受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场带动的市场需求,预计每年将增长至25.62亿美元,年复合增长率约为30%。

从下游新能源汽车、光伏的景气可以看出,未来导电碳化硅衬底将会有更大的发展。

不过,导电碳化硅衬底在天岳营收中所占比重很小,上半年仅为0.25%。

公司给出的解释是,为了满足国家战略需求,产能主要用于半绝缘碳化硅衬底的生产。

虽然国家战略需求客观存在,但这也说明导电碳化硅衬底的量产能力还存在问题。

同时,汽车级半导体器件的验证周期非常长。

为了保证安全,终端厂商的供应商都比较稳定。

据该公司介绍,6英寸导电基板已小批量销售,并已向多家国内外客户发送样品。

但终端新能源、光伏市场正在快速爆发,国际龙头争相抢占市场。

已经落后的天岳仍在等待验证。

俗话说,时间不等人。

行业景气周期来之不易。

尚未量产的导电碳化硅衬底的扩张之路值得怀疑。

恐怕会错过这场行业爆发的盛宴了。

尽管该公司表示,技术参数与全球行业领先企业同尺寸产品没有明显差距,但其大规模产品生产能力与国际巨头相比存在较大差距。

在4英寸至6英寸基板的量产时间方面,全球行业领先者领先天岳7-10年。

全球第一的II-VI公司每年可量产8英寸产品,全球第二的Cree公司将在2018年具备8英寸量产能力。

截至目前,天岳还不具备量产能力适用于8英寸基板。

对于碳化硅衬底行业来说,更大的尺寸对应着更大的面积,这意味着在相同的时间内,生产的衬底面积更大,而延迟到下游意味着更多的芯片。

因此,大尺寸不仅是技术和经验的体现,也是未来进一步降低成本、提高市场竞争力的保证。

资料来源:公司招股书 天岳8英寸导电碳化硅基板于2016年开发,尚未实现量产。

资料来源:公司招股书 目前主流的商业PVT方法晶体生长速度慢,缺陷控制困难。

因此,半导体行业需要经验的积累,质变不可能一蹴而就。

对于相对成熟的半绝缘基板来说,良率仍有提升空间;至于尚未量产的导电碳化硅衬底,未来的进程也不会一帆风顺,还存在很大的不确定性。

不仅如此,国际巨头纷纷加大投入,实施扩产计划。

其中,Cree于2016年宣布投资10亿美元,扩产30倍; IIVI和日本罗姆公司也相继公布了相应的扩张计划。

在未来激烈的竞争中,天岳前进的道路将会增添一些迷雾。

难道华为“平台”的天岳式进步不值得第三代半导体“全村的希望”吗?

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