紫光展锐集团任命坂本幸雄为日本分公司高级副总裁兼首席执行官
06-08
盛美半导体设备盛美上海ECP设备电镀室成功交付Ultra ECP图前端铜互连电镀设备基于公司成熟的电化学电镀（ECP）技术，专为双大马士革应用而设计，旨在提高生产率和可靠性。
ECP电镀系统配备了AMC上海独特的多阳极局部电镀功能，使客户能够有效控制大马士革结构上的金属铜沉积层。
该设备的关键工艺优势包括优异的图案结构填充能力、良好的片内和片间金属膜厚均匀性以及兼容5nm以下超薄种子层，满足最先进技术节点的大马士革电镀需求。
减少消耗品和拥有成本，确保高生产率和正常运行时间。
8月22日，盛美半导体设备（上海）有限公司（以下简称“申美上海”）电化学电镀（ECP）设备系列第一台电镀室制造完成并成功交付客户。
这是盛美发展史上非常重要的里程碑，标志着盛美上海在新征程上迈出了关键一步。
总经理王健在庆典仪式上致辞。
他表示，随着IC电路技术节点的缩小和先进封装集成度的提高，电镀技术得到广泛应用，包括铜、钴、镍、锡银、金等金属电镀应用。
目前，全球电镀设备市场90%以上被国际大公司占据。
盛美自2011年成立以来，专注于铜互连技术，并布局了专利成果。
是全球最早进入水平电镀领域并独立掌握核心电镀技术的三家企业之一。
盛美独创的结构设计和电镀技术不仅拥有全球专利保护，而且能够完全满足客户产品规格要求并具有成本优势。
“在科技部02重大专项的支持下，经过产学研合作研发，以及客户量产验证。
如今，盛美的电镀技术已应用于前端双镶嵌和先进无论是多环阳极技术、第二阳极技术、还是高速电镀技术，我们的客户产线都表现出了比竞争对手更优越的性能。
目前，我们的产品订单已经完成了67台，截止到今天，已经出货了6台电镀室。
”技术已通过各大半导体厂商的产线工艺评估，并应用于55nm。
到28nm、TSV、高密度扇出封装、常规Pillar、RDL产品生产线，均得到了客户的高度评价。
截至今年12月，盛美电镀设备销售额占全球集成电路电镀市场的4%。
此外，2017年，公司前端铜互连电镀设备与华力微电子联合申报并荣获中国集成电路创新联盟主办的“集成电路产业技术创新奖”成果产业化奖。
ECP设备简介 Ultra ECP图前端铜互连电镀设备基于公司成熟的电化学电镀（ECP）技术，专为双镶嵌应用而设计，以提高产能和可靠性。
ECP电镀系统配备了AMC上海独特的多阳极局部电镀功能，使客户能够有效控制大马士革结构上的金属铜沉积层。
该设备的关键工艺优势包括优异的图案结构填充能力、良好的片内和片间金属膜厚均匀性以及兼容5nm以下超薄种子层，满足最先进技术节点的大马士革电镀需求。
减少消耗品和拥有成本，确保高生产率和正常运行时间。
Ultra ECP ap 电镀设备 该设备执行许多关键的 WLP 电镀工艺，包括铜凸块和高密度扇出 (HDFO) 工艺。
借助专门设计的工艺室和流体供应系统，系统可以保持强劲稳定的流量输出，实现快速均匀的电镀。
单晶片水平电镀设计还消除了垂直电镀设计中存在的不同电镀槽之间的交叉污染问题。
该设备在铜、镍、锡、银和金电镀工艺方面表现出色。
Ultra ECP 3D 电镀设备可用于填充 3D 硅通孔 (TSV)。
借助Ame Semiconductor电镀设备平台，可为高深宽比（H.A.R）TSV铜应用提供高性能、无孔镀铜功能。
在高深宽比通孔的自下而上填充工艺中，当铜电解液浸入镀液中时，必须完全填充通孔，不留有任何气泡。
为了加快这一过程，我们使用集成的预润湿步骤。
这种先进的技术解决方案可确保制造过程中更高的效率、电镀效率和产量。
4Ultra ECP GIII电镀设备 该设备可支持化合物半导体（SiC、GaN）和砷化镓（GaAs）晶圆级封装，可进行铜、镍、锡银、金电镀。
该系列设备还可以将金（Au）镀入背面深孔工艺中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率。
Ultra ECP GIII还配备了全自动平台，支持6英寸/8英寸平边和V型槽晶圆的批量加工，同时结合了艾美半导体的第二阳极和高速栅极技术，以实现最佳性能。
关于圣美上海 圣美上海作为清洗设备供应商，在半导体设备领域有着多维度的布局。
在半导体清洗设备、前端半导体电镀设备和先进封装湿法设备（包括后端电镀设备）方面有较大的营业收入。
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半导体设备市场规模仍在不断扩大。
艾美上海也将乘着半导体装备产业化的东风，坚持技术差异化、产品平台化、客户全球化的核心理念，尊重同行知识产权并保护自身知识产权，面向全球半导体芯片生产线推动中国研发、中国原始创新、中国制造走向世界！最近的会议是2020年8月25日第十三届CHIP China网络研讨会，诚邀您共同探讨汽车级芯片测试、SLT测试、存储芯片测试、半导体测试设备发展趋势等话题，面向新兴市场比如5G、大数据、人工智能。
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