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06-17
· 合作开发和量产先进的 GaN-on-Si 功率二极管和晶体管架构· 利用 IRT 纳米电子技术研究所的研究成果，该工艺技术将从Leti的MM研发线转移到意法半导体的MM晶圆试产线，该试产线将于2020年9月25日在中国投产——全球领先的跨多个电子应用的半导体供应商。
意法半导体（ST；纽约证券交易所代码：STM）和CEA Tech旗下研究所Leti今天宣布合作开发硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术。
这种硅基氮化镓功率技术将使意法半导体能够满足节能、高功率应用的需求，包括混合动力和电动汽车的车载充电器、无线充电和服务器。
该合作项目重点开发和测试在毫米晶圆上制造的先进硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构。
研究公司 IHS 认为，从 2019 年到 2019 年，该市场的复合年增长率将超过 20%[1]。
意法半导体和Leti正在利用IRT纳米电子研究院的框架计划，在Leti的毫米研发线上开发工艺技术，预计在2020年完成工程样品的验证。
同时，意法半导体还将建立一条高质量的生产线，包括GaN/硅异质外延工艺，并计划于今年前在法国图尔的预处理晶圆厂进行首次生产。
此外，鉴于硅基氮化镓技术对电源产品的吸引力，Leti和意法半导体正在评估高密度电源模块所需的先进封装技术。
意法半导体汽车和分立产品部总裁Marco Monti表示：“认识到宽带隙半导体的巨大价值，意法半导体和CEA-Leti开始合作开发硅基氮化镓功率器件制造和封装技术。
” Leti首席执行官Emmanuel Sabonnadiere表示：“ST拥有经过市场验证的制造能力，可以生产可靠、高质量的产品，此次合作后，我们将进一步拥有业界最完整的GaN和SiC产品组合和能力。
”该团队利用Leti的毫米通用平台全力支持意法半导体的硅基氮化镓功率产品战略规划，并准备将该技术迁移到意法半导体图尔工厂的专用硅基氮化镓生产线。
这个联合开发项目需要。
两个团队的共同努力利用IRT纳米电子研究所的框架计划来扩展在设备和系统层面从头开始创新所需的专业知识。
”编者按：与采用硅等传统半导体材料的器件相比，宽禁带半导体材料GaN制成的器件具有高工作电压、高频率和高温度的优势。
除了功率氮化镓技术之外，意法半导体还在开发另外两种宽带隙技术：碳化硅（SiC）和射频氮化镓（GaN）。
除了与CEA-Leti在GaN领域的合作外，意法半导体近期还宣布与MACOM合作开发射频硅基氮化镓技术，该技术将用于MACOM的各种射频产品，并与意法半导体共同开发用于非射频领域。
电信市场。
产品。
两个研发项目均使用GaN，很容易造成混乱。
然而，这两个研发项目采用结构不同的方法，具有不同的应用优势。
例如，功率硅基氮化镓技术适合在毫米晶圆上制造，而射频硅基氮化镓目前至少更适合在毫米晶圆上制造。
无论哪种方式，GaN 技术都适合制造更高频率的产品，因为其开关损耗较低。
另一方面，碳化硅器件工作电压较高，阻断电压超过 V，雪崩额定电压超过 V，并且通态电阻低，非常适合具有出色能效和热性能的产品。
凭借这些特性，SiC 非常适合电动汽车、太阳能逆变器和焊接设备等应用。
关于意法半导体 意法半导体（ST）是全球领先的半导体公司，提供与日常生活密切相关的智能、节能产品和解决方案。
意法半导体的产品无处不在，我们致力于与客户合作，实现智能驾驶、智能工厂、智能城市和智能家居，以及下一代移动和物联网产品。
享受科技，享受生活。
意法半导体倡导科技引领智能生活（life.augmented）的理念。
意法半导体年净收入为69.7亿美元，在全球拥有超过10万客户。
详情请访问意法半导体网站： 关于Leti（法国） CEA Tech旗下技术研究院Leti在微型化技术领域位居全球领先地位，该技术使工业解决方案更智能、更节能、更安全。
Leti成立于2017年，是微米和纳米技术领域的先驱，为国际企业、中小企业和初创公司提供定制化和差异化的应用解决方案。
Leti 探索医疗保健、能源和数字化领域重大挑战的解决方案。
从传感器到数据处理和计算解决方案，Leti 的多学科团队为客户提供深厚的专业知识和世界一流的预生产设施。
该研究所拥有 1,000 多名员工、2 项专利、91 平方英尺的洁净室，执行明确的知识产权政策，总部位于法国格勒诺布尔，并在硅谷和东京设有办事处。
Leti 创立了 60 家初创公司，并且是卡诺研究所网络的成员。
关注我们： 和@CEA_Leti.CEA Tech 是法国新能源和原子能委员会（CEA）的技术研究委员会，是创新研发、国防安全、核能、工业和基础科学技术的重要参与者，被汤森路透评为全球第二大创新研究机构。
CEA Tech利用其独特的创新驱动文化和无与伦比的专业知识来开发和传播新的工业技术，帮助客户开发高端产品并提高市场竞争力。
关于纳米电子技术研究所（IRT） 纳米电子技术研究所（IRT）是Leti的子公司，其研发活动涉及信息和通信技术（ICT），特别是微电子和纳米电子领域。
IRT Nano electronics 总部位于法国格勒诺布尔，利用该地区成熟的创新生态系统来开发推动未来纳米电子学的技术，推动新产品开发并为现有技术（例如材料网络）开发新应用。
IRT Nano electronics 的研发活动让世界深入了解 3D 集成、硅光子学和功率器件等新兴技术对集成电路的影响。
欲了解详情，请访问 IRT纳米电子研究所是法国政府“Program Investissements d Avenir”计划下的企业，并获得政府财政支持，注册号为ANR-10-AIRT-05。
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