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中国自主打造新型光刻机

发布于:2024-06-06 编辑:匿名 来源:网络

北京时间11月29日,中科院光电技术研究所宣布,国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”已立项通过验收,成为全球首个紫外光源。

22nm分辨率光刻机。

据《科技日报》报道,中科院光电技术研究所副总工程师胡松透露,新验收的光刻机采用纳米紫外汞灯,每台成本仅几十上千元,而完整的光刻机价格从百万元到千万元不等。

项目副总设计师胡松研究员介绍了超分辨光刻设备研制项目的研究进展(图片来自网络,编辑删除)。

胡松还表示,中科院光电技术研究所研发的光刻机加工能力介于深紫外和极紫外级别之间。

在紫外线级别之间,“许多用户欣喜若狂”。

全新路线,完美避开国外厂商专利。

光刻机在集成电路制造行业中发挥着核心作用。

光刻机相当于投影仪,将细线图案投射到感光板上,光源就是雕刻刀。

但线条的细度是有限制的——它不能小于光波长的一半。

“光线太胖,门缝太窄,光线无法通过。

”参与研究的科学家杨勇告诉记者。

目前,采用深紫外光源的光刻机是主流,成像分辨率极限为34纳米。

要进一步提高分辨率,需要多次曝光等技术,成本非常高。

荷兰光刻机巨头ASML垄断了加工极限为7纳米的尖端集成电路光刻机。

ASML的EUV光刻机使用的13.5纳米极紫外光源成本高达3万元,而且必须在真空中使用。

今年,中科院光电研究所开始研究一种新方法:金属和非金属薄膜层叠,界面处会出现无序电子;光照射金属薄膜,使这些电子有序振动,产生波长短得多的电磁波,可以用于光刻。

这样,“宽刀”就变成了“窄刀”。

胡松表示,在纳米波长光源下,这款光刻机单次曝光最高线宽分辨率达到22纳米,相当于1/17波长。

该项目从原理上突破了分辨率衍射极限,建立了高分辨率、大面积纳米光刻设备的研发新路线。

中国自主打造新型光刻机

它拥有完全自主知识产权,正在彻底改变超材料/超表面、第三代光学器件和通用芯片。

性领域的跨越式发展为制造业提供了工具。

擅长加工一系列纳米功能器件,包括大口径薄膜反射镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片和超表面成像器件等。

据介绍,中科院光电技术研究所目前拥有超分辨光刻镜头、精密间隙检测、纳米级定位精度工件台、高深宽比刻蚀和多重图案匹配光刻工艺等核心专利。

“该技术完全自主可控。

,超分辨率成像光刻领域的国际领先者。

”ASML设备仍是主流,国产化仍需努力。

此前,2008年成立的上海微电子已率先研发出90纳米工艺光刻机。

现在中科院光电技术研究所研发的22nm光刻机已经通过验收,可以说取得了跨越式的进展。

据了解,这种超分辨光刻设备制造的相关器件已应用于中国航天科技集团八院、电子科技大学等多家科研院所和高校的重大研究中国科学院、四川大学华西医院、中国科学院微系统研究所。

应用于任务中。

尽管中国科研机构不断研发出新型光刻机,但荷兰ASML公司研发的光刻机仍然是中国客户的首选。

今年5月底,据荷兰媒体报道,中国芯片巨头“长江存储”向ASML订购的价值7万美元的光刻机抵达湖北武汉。

日本媒体报道称,另一家中国芯片制造公司中芯国际也向ASML订购了价值1.2亿美元的光刻机,预计2020年交付。

继中兴通讯和福建晋华之后,有消息称美国正在考虑制裁中国监控设备巨头海康威视并切断芯片供应。

这将促使中国加快国产设备的应用。

中国自主打造新型光刻机

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