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06-17
集微网 据businessKorea报道，三星已经开始生产磁阻随机存取存储器（MRAM）。
MRAM 有望改变半导体市场的格局，因为它结合了 DRAM 和 NAND 闪存的优点。
三星3月6日宣布，基于28nm FD-SOI工艺的嵌入式MRAM（eMRAM）解决方案已开始在生产线上量产和商业出货。
该公司在首尔郊区京畿道的器兴工厂举行了仪式，标志着新内存产品的首次发货。
该解决方案无需在数据记录期间擦除数据，并且写入速度比传统闪存快大约三倍。
三星表示，其功耗也非常出色，因为它可以在断电期间保留存储的数据，并且不使用额外的备用电源。
三星将FD-SOI工艺与嵌入式设计技术相结合。
在FD-SOI工艺中，硅晶片上覆盖有绝缘膜，并在顶部形成晶体管。
其特点是大大降低了晶体管工作时产生的漏电流。
该公司在 FD-SOI 工艺中添加了嵌入式存储器技术。
嵌入式存储器技术是一种用于在小型电子设备的微控制器单元（MCU）和片上系统（SoC）等系统半导体中存储信息的存储器模块。
三星电子表示，该解决方案结构简单，可以通过在当前基于逻辑流程的设计中添加最少层数来实现，从而减轻公司新设计的负担并降低生产成本。
三星计划扩展其嵌入式内存解决方案，从今年生产 1 Gbe MRAM 测试芯片开始。
业内分析师表示，随着eMRAM的推出，三星将增加其代工销售额，同时增强其在代工方面的竞争力，以确保在未来半导体市场的领先地位。
三星计划明年推出18nm FD-SOI eMRAM工艺。
西电一/3/7 三星宣布量产eMRAM。
嵌入式存储已进入新时代。
近日，三星电子宣布成为全球首家实现商业规模量产的eMRAM（嵌入式磁阻存储器），并采用的是成熟工艺，看起来有点“老”的28nm FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅） ”并可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。
三星指出，基于放电存储操作的eFlash（嵌入式闪存）已变得越来越难以改进。
SLC、MLC、TLC、QLC、OLC越来越密集，但寿命却越来越短。
主控制和算法必须以越来越复杂的方式进行补偿。
eMRAM 是一个优秀的替代品，因为它基于磁阻存储，具有非常好的可扩展性，并且在非易失性、随机访问和寿命耐用性方面远远优于传统 RAM。
采用28nm工艺的成功量产，进一步证明三星已经攻克了eMRAM量产的技术难关，工艺不成问题。
三星还计划今年流片容量为 1Gb (MB) 的 eMRAM 芯片。
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