深紫外LED可广泛应用于防病毒、杀菌、打印、通讯等领域。
国际水俣公约的提出,推动深紫外LED的全面应用更加迫切,但商用深紫外LED的外量子效率不足10%,严重限制了深紫外LED的应用。
AlN材料的质量是深紫外LED的核心因素之一。
AlN薄膜主要采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c-蓝宝石、6H-SiC和Si()衬底上异质外延生长。
AlN和衬底之间存在较大的晶格失配和热失配,导致外延层应力较大、位错密度较高,严重降低器件性能。
同时,AlN前驱体在此类衬底上具有较高的迁移势垒和较差的润湿性。
它倾向于以三维岛状生长,需要一定的厚度才能实现融合,这增加了时间成本。
近日,中科院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作,开发出新型石墨烯/蓝宝石外延衬底,并提出等离子体预处理改性石墨烯。
,促进AlN薄膜生长以实现深紫外LED的新策略。
通过DFT计算发现,通过等离子体预处理引入石墨烯中的吡咯氮可以有效促进AlN薄膜的成核和生长。
可以在短时间内获得高质量的AlN薄膜,该薄膜具有低应力和低位错密度。
深紫外LED器件表现出良好的器件性能。
该结果发表在《先进材料》上,标题为“Improved Epitaxy of AlN Film for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Enabled by Graphene”(Adv. Mater.,DOI:10./adma.5)。
半导体所李金民研究员、魏同波研究员、北京大学刘忠凡研究员、高鹏研究员为论文共同通讯作者,陈兆龙、刘志强为论文共同第一作者。
与此同时,魏同波和刘忠范团队合作提出了石墨烯/NPSS纳米图案衬底上外延AlN的生长模型。
理论计算和实验验证了石墨烯表面金属原子迁移的增强。
石墨烯将 AlN 在 NPSS 上的合并时间缩短了三个点。
其次,与此同时,深紫外LED的功率得到显着提升,使得深紫外光源有望成为石墨烯产业化的突破口。

相关成果在Appl. 发表后被选为Featured Article。
物理。
Lett., 07 (),并由 AIPScilight 专门报道,题为“新的 AlN 薄膜生长条件增强了深紫外 LED 的发射”。
半导体领域评论杂志《化合物半导体》杂志也对此进行了报道。
版(今年第 3 期)和《今日半导体》同时发布长篇报道。
此外,针对深紫外发光器件p型掺杂的国际技术难题,刘志强提出了缺陷共振态p型掺杂的新机制。
该方法基于能带调控,在保持高空穴迁移率的同时,实现了高效的受主电离率,实现了p型氮化镓电导率达到0.16Ω.cm,为后续石墨烯在透明电极中的应用奠定了基础。
深紫外装置。
相关成果发表在Semicond上。
科学。
技术。
04月33日(),并获得该杂志年度青年科学家最佳论文奖。
该成果也得到了诺贝尔物理学奖获得者天野之弥的积极评价。
上述系列研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金委、北京市自然科学基金委的支持。
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