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06-18
在上周的 Intel Investor Day 上，Intel 透露了该公司 10nm 芯片一再推迟的原因，并宣布将在 2019 年发布 7nm GPU（详情请见雷锋网此前报道）。
不过，在近期的SFF（三星代工论坛）美国分会上，三星表示该公司还将在2019年推出一款突破性产品——该产品基于3nm GAA（gate all around）工艺；性能将提升35%，功耗降低50%，芯片面积缩小45%。
三星宣布的消息引起了轰动。
毕竟英特尔的10nm还没有量产，而三星的3nm就要来了。
3nm依靠GAA技术实现雷锋网注：图片来自CNET。
几十年来，晶体管一直是处理器的基本组件，而缩小晶体管的尺寸是衡量芯片进步的关键因素。
但近年来，芯片行业一直在努力克服极端小型化带来的挑战。
三星的新产品集成了GAA技术，使芯片的核心晶体管能够重新设计和改造，使其变得更小、速度更快。
事实上，在早期设计中，芯片电路中的电流一直由沟道顶部的“栅极”控制，但GAA不同——该技术采用特定材料包裹整个电流沟道，类似于3D结构。
比之前的“门”复杂得多。
有些人设想 GAA 晶体管通道是称为纳米线的小圆柱体，但三星的设计使用称为纳米片的扁平通道。
国际商业策略咨询首席执行官Handel Jones表示：三星的研究项目正在显现初步成果，在GAA方面比台积电领先约12个月；而英特尔可能落后三星两到三年。
三星的突破可能会超出摩尔定律的预期，并进一步使我们的手机、手表、汽车和家用设备变得更加智能。
三星代工业务营销副总裁Ryan Lee也在本次大会上表示，GAA将标志着三星代工业务的新纪元；而三星的新品也有望成为其与英特尔、台积电竞争的关键一步。
。
三星的 3nm 工艺路线图就是在这个 SFF 上。
三星表示，首批用于智能手机和其他移动设备的3nm芯片将于2019年进行测试，并于2020年量产。
性能要求更高的芯片，例如用于数据中心的图形处理器和AI芯片将在年内上市。
英特尔和台积电目前未对此事发表评论。
目前，三星制造的芯片已经可以采用7nm工艺；但它并没有就此止步，仍在改进7nm，将电路缩小到6nm、5nm，甚至4nm；不过，三星现阶段的最终目标是利用GAA技术将电路缩小到3nm。
Ryan Lee还预测了三星芯片的未来：GAA的发展可能使2nm甚至1nm工艺成为可能。
虽然我们还不确定它会是什么样的结构，但我们坚信这样的技术将会出现。
不得不承认，Ryan Lee的预测确实非常大胆，但从实际角度来看，芯片制造商几十年来一直在担心芯片小型化过程中遇到的障碍。
正如人们曾经将芯片制造工艺从0.13微米改为纳米一样，现在人们正在突破极限；也许在未来，芯片制造商将转向更小的单位，例如皮米（picometer）。
3nm 成本可能令人望而却步 三星多年来一直生产芯片，但在 2016 年，它将其代工部门拆分为一个独立的业务，为三星电子以外的客户提供服务。
于是，高通等公司开始与三星合作，并依赖三星制造Snapdragon和Snapdragon G芯片。
在处理器制造的辉煌时期，新一代技术将带来更小、更快的芯片，而不会增加功耗。
今天，很难同时拥有这三个好处。
不过，客户对于选择三星的3nm工艺仍然犹豫不决，因为它价格昂贵。
就像三星的5nm芯片比目前的7nm稍贵一样，3nm的定价也会比5nm贵。
不过，相关负责人对3nm的前景持乐观态度，称成本正在逐渐下降。
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