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06-08
山东天岳碳化硅功率半导体芯片项目开工建设，推动碳化硅产业化。
2020年2月27日，作为济南首批集中项目之一，山东天岳碳化硅功率半导体芯片研发及产业化项目正式开工。
碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发及产业化项目是济南市重点项目之一。
据悉，该项目总投资0万元，项目总占用厂房面积为平方米。
主要利用原厂房空地建设碳化硅功率芯片生产线和碳化硅电动汽车驱动模块生产线。
据山东天岳官方消息，该项目在氢、氩条件下采用硅烷和甲烷制备SiC衬底外延片，然后经过掩模沉积、光刻、显影、灰化、刻蚀、检验封装等工序。
，生产SiC MOSFET晶体管，设计年生产规模10000只/年；以碳化硅外延材料为原料，经过晶圆打标、离子注入、厂板沉积、欧姆接触、肖特基电极、钝化层制备等工艺，生产SiC功率二极管，设计年生产规模10000只/年;采用碳化硅芯片为原材料，经过焊接、清洗、铝线键合和灌封硅胶等工艺生产碳化硅电动汽车驱动模块，设计年生产规模为10000片/年。
山东天岳是山东大学晶体学研究所的产业化基地。
主要从事宽禁带碳化硅半导体衬底的研发和生产，广泛应用于电力传输、航空航天、新能源汽车、半导体照明、5G通信等技术领域。
。
山东天悦新材料科技有限公司于今年10月成立，山东天悦晶体材料有限公司为其控股公司。
截至年底，山东天岳已累计投资15亿元，建设碳化硅单晶衬底材料产业化基地。
2019年，山东天岳自主研发出新型高纯半绝缘基板材料。
目前量产的产品主要是4英寸。
此外，其4H导电碳化硅衬底材料产品主要包括2英寸、3英寸、4英寸和6英寸。
山东天岳还自主研发了6英寸N型碳化硅衬底材料，产品目前处于工艺固化阶段。
今年11月，山东天岳碳化硅材料项目在浏阳高新区开工建设。
项目总投资30亿元。
一期主要生产碳化硅导电衬底，二期主要生产功能器件。
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