4月6日,韩国唯一纯晶圆代工公司Key Foundry宣布,公司已开发出汽车半导体第二代采用的0.13微米嵌入式闪存工艺将在今年内全面投入量产。
五年多来,七方半导体借助第一代0.13微米嵌入式闪存,持续推动微控制器(MCU)、触控(Touch)、自动对焦(AutoFocus)等各类消费应用产品的量产技术。
新开发的第二代0.13微米嵌入式闪存工艺适用于汽车零部件,完全符合AEC-Q可靠性1级标准。
AEC-Q 是针对汽车应用的集成电路 (IC) 可靠性测试认证。
要获得1级认证,IC产品必须在高达摄氏度的极端温度下正常运行10年以上,同时确保所有闪存数据保持完整。
七方半导体凭借其深厚的专业知识和专利的侧壁选择性晶体管单元(SSTC)结构所凸显的强大特性,在嵌入式闪存IP中添加了纠错码(ECC)存储器,成功开发了嵌入式闪存技术并通过了各项AEC -Q1水平测试。
这种设计改进提高了该技术的闪存可靠性,使其成为汽车电子应用的理想选择。
七方半导体的韩国客户率先将这一新工艺应用于交通收费应答器的MCU产品中。
该产品内嵌了七方半导体自主设计的Kbyte eFlash IP,已通过产品级测试,将于今年开始全面量产。
这是首款采用七方半导体嵌入式闪存技术的汽车应用产品。

公司预计该产品的成功开发将有助于将该技术的应用范围扩大到触控IC、无线充电IC以及其他各种汽车产品。
与第一代工艺相比,第二代工艺的可靠性和成本竞争力显着提升,有望广泛应用于包括MCU、触控和自动对焦等各种消费类应用。
另外,与BCD工艺(双极-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺)集成后,为各种电源产品带来合适的解决方案,例如USB Type-C PD(USB C型电源通信协议)第二代技术的应用场景有望进一步扩展到具有超低漏电工艺选项的低功耗物联网产品。
继0.13微米第一代、第二代技术之后,七方半导体目前正在开发0.11微米嵌入式闪存工艺。
为了满足客户对更高存储密度日益增长的需求,该公司拟大幅减小闪存单元尺寸,打造存储密度高达4Mbits的闪存IP。
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