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06-18
功率与化合物半导体对人类社会和技术发展的影响日益重大，其应用涵盖照明、激光、成像、移动通信、消费电子、以及绿色能源、现代交通等方面。
3月21日至22日，业界知名的“功率与化合物半导体国际论坛”与SEMICON China同期在上海浦东嘉里大酒店成功举办。
来自国内外的20余位演讲嘉宾，包括SiC领域第一的Wolfspeed（CREE）、功率半导体IDM巨头英飞凌、化合物半导体外延巨头IQE、氮化镓电力电子龙头甘肃等各领域领军企业System、5G通讯龙头Qorvo、VCSEL龙头Finisar、MicroLED技术缔造者錼创科技等，还有多年涉足功率器件代工的汉雷科技等优秀的化合物半导体晶圆代工企业，以及国内领先的化合物代工企业。
市场份额最大的文茂、新兴势力三安集成、全球领先的TowerJazz，除了中车等本土IDM企业外，各领域最有活力的新兴企业如EpiGaN、瑞熙、Innosec、大晶雷等，各专家现场分享了新型光电显示、人脸识别、宽带隙半导体电力电子、5G通信等领域的最新进展。
来自全球各领域的近100名专业观众参加了本次论坛。
SEMI中国区总裁居龙先生出席会议并致辞。
鞠先生表示，中国作为全球最大的功率器件和化合物半导体市场，充满机遇，但也面临诸多挑战。
本次论坛汇聚了全球行业专家，分享相关领域的最新技术趋势。
希望本次论坛能够给大家带来更多的讨论和思考。
这也是SEMI搭建相关产业平台的意义和目的。
台湾汉磊科技总经理庄元琪做了《宽禁带半导体市场与技术》的主题报告。
他相信SiC将在电动汽车（EV）中发挥越来越重要的作用。
尤其是中国汽车厂商表现非常活跃。
他们将在电动汽车中广泛使用SiC功率器件，以满足更高效率和更轻重量的要求。
Wolfspeed 首席技术官 John Palmour 介绍了用于功率开关应用的碳化硅材料和器件。
由SiC和GaN组成的第三代半导体材料宽带隙技术改变了当代生活的许多方面，例如风电、光电转换太阳能、汽车、储能、快速充电等。
目前，宽禁带半导体正在引领氮化镓材料的发展趋势，推动4G向5G的更快过渡。
John Palmour提到，碳化硅具有高效率和高能量密度，带动了电动汽车等行业的发展，是汽车行业变革的根本驱动力。
John Palmour认为SiC转换器具有绝对优势，将把未来的电力推进系统带入高能效时代。
台湾錼创科技CEO李云利分享了MicroLED显示技术的最新进展。
他指出，与LCD、OLED显示技术相比，MicroLED显示技术在显示效率、灵活性、无边框、多用途等方面具有巨大优势，是显示技术发展的最终方向。
然而，仍有许多问题需要解决，例如柔性显示的基板材料和驱动器。
此外，虽然巨量转移是MicroLED大规模制造的核心技术挑战，但大规模修复是实现MicroLED商业应用的另一个核心技术挑战。
目前，Nitron在巨量转移和修复方面取得了一些重要进展，MicroLED产品在电视领域已获得初步商业验证。
GaN Systems全球运营副总裁Stephen Coates向来宾介绍了如何利用更小尺寸、更低能耗、更高效的电力电子器件来改变汽车世界。
氮化镓的设计趋于更加高效、轻量化和小型化。
氮化镓作为更好的功率晶体管可以制造更好的电力电子器件。
Stephen Coates相信，GaN SYSTEMS在氮化镓方面取得的研究成果将为汽车、太阳能、无线电、交流适配器、大数据管理（数据中心服务器和机架电源）、车辆充电、牵引逆变器、 ETC。
。
Finisar Corporation 是 VCSEL 垂直腔表面发射激光器技术的领导者。
自2016年开始研究以来，已成为3D相机供应商的主要VCSEL供应商。
Finisar公司全球营销高级总监Christian Urricariet介绍了VCSEL技术在3D检测中的应用。
典型的激光 3D 传感系统使用激光红外线生成深度数据：结构光、飞行时间 (ToF)。
实现方法是利用处理器的算法对数据进行计算。
目前，VCSEL在智能手机中有很多应用，手机中的人脸识别就是其中之一。
如今，3D数码相机和深度传感系统正在快速集成图像检测和激光照明技术。
Christian Urricariet提到VCSEL技术将推动IR的发展。
VCSEL在3D传感市场的收入预计每年增加$1.8B。
昂坤科技CEO马铁忠解释了目前外延芯片缺陷检测的难点。
与传统的缺陷分类方法不同，昂坤视觉基于多轮深度学习算法的EPI AOI（外延芯片缺陷检测）可以将缺陷分类准确率提高到99%。
不仅如此，马博士还与与会者分享了EPI AOI系统的结构外观。
EPI AOI还包括多种软件集成，例如EPI DSA缺陷追溯分析和EPI Image Viewer缺陷形态离线观察。
EPI AOI自动对焦精度达到0.1μm。
马博士列举了EPI AOI检测氮化镓、砷化镓材料缺陷的应用案例。
这种基于多轮深度学习算法的外延芯片缺陷检测系统突破了传统的检测模式，为客户定制更高精度、更智能检测的缺陷类别提供了可能。
目前，5G已经深入到我们医疗、航空、移动、制造供应链、农业等多个方面。
文茂半导体副总裁黄志文介绍了化合物半导体和无线通信的前景与挑战。
他提到，化合物半导体将引领未来无线通信领域，调制频率是关键。
未来的无线通信设备将具有更高的频率、更线性、更高集成度。
特性，而这一切的关键在于化合物半导体。
黄志文介绍了文茂的多芯片解决方案和单芯片解决方案。
文茂的MW解决方案突破了传统的QFN。
比利时EpiGaN公司是电力电子器件、射频功率和传感设备材料供应商。
首席营销官Markus Behet介绍了5G的关键技术——硅基氮化镓。
不同的外延结构决定了器件的性能。
Markus介绍了EpiGaN用于伏特功率转换器和射频功率的硅基氮化镓产品，展示了30GHz氮化镓/硅化镓LNA HPA MMIC和专为5G镓HPA、90GHz GaN/GaSi PA设计的13-17 37-43 GHz氮化镓/硅化物。
Markus向观众介绍，EpiGaN的大直径硅片和硅基氮化镓具有良好的热化学稳定性、集成度和压电性能，广泛应用于压力传感器、生物传感器、射频滤波器等领域。
宁波瑞熙科技有限公司CEO刘詹姆斯分享了VCSEL技术及应用。
VCSEL是人工智能的关键器件，广泛应用于3D传感器、物联网、云计算、汽车等领域。
James对VCSEL未来的市场发展进行了预测，介绍了VCSEL的优势以及瑞熙科技在VCSEL方面的设计要点和可靠性分析。
James相信VCSEL市场将在未来十年快速发展。
英飞凌科技高级总监Peter Friedrichs介绍了正在走向更广阔市场的碳化硅晶体管。
碳化硅和氮化镓材料比传统硅材料具有更快的功率转换效率和更低的损耗。
碳化硅广泛应用于太阳能转换系统和电动汽车充电。
Peter相信，随着英飞凌碳化硅材料的深入研发和广泛应用，电动汽车的充电性能将得到大幅优化。
浙江大晶雷半导体科技有限公司常务副总裁冯恒毅介绍了中高压碳化硅MOSFET应用的高绝缘电源驱动技术。
由于其特性和优势，SiC材料被认为是高压高频功率器件的理想半导体材料。
目前，SiC金属氧化物半场效应晶体管在高压设备领域已取代Si IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）。
SiC MOSFET目前仅局限于低压领域。
冯恒逸认为，高压绝缘功率器件将具有易于评估、转换功率大、持续工作电压稳定等特点。
Novel Crystal Technology, Inc.高级经理Kohei Sasaki介绍了氧化镓功率器件的进展。
氧化镓晶圆提供了减少功率器件损耗的可能性。
新晶科技对〖Ga〗_2 O_3沟槽MOSSSBD、〖Ga〗_2 O_3 JBS二极管、〖Ga〗_2 O_3沟槽MOSFET进行了深入研究。
Sasaki认为氧化镓器件比碳化硅器件具有更好的性能。
未来，新晶科技还将通过改善器件结构和EPI质量来提高氧化镓的性能。
株洲中车时代电气有限公司副总工程师刘国友介绍了SiC功率器件技术及其在电气化轨道交通中的应用。
轨道交通需要更高功率密度、更高频率、更高连接温度的新一代功率器件。
轨道交通面临高温、热应力、高频电压等挑战，需要碳化硅器件在整流、牵引系统中发挥功率密度高、转换效率快等优势，实现高速、减轻重量，环保。
刘国友总工程师还演示了电力电子变换器的拓扑结构。
由于使用碳化硅器件的优点，轨道交通的电学、热学和机械性能都得到了改善。
总工程师刘国友表示，下一代电气化轨道交通迫切需要用于电力电子转换器的高压大电流碳化硅，以及更先进的制造和封装工艺。
功率和化合物半导体对人类社会和科技发展产生着日益巨大的影响。
其应用涵盖照明、激光、成像、移动通信、消费电子、绿色能源、现代交通等各个方面。
这正是SEMICON China举办功率与化合物半导体国际论坛的价值所在。
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