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三星即将公布3nm以下工艺路线图，挑战硅基半导体极限

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

在半导体晶圆代工市场，台积电全球第一，仅占据全球50%以上份额，率先量产7nm等先进技术工艺，官方表示该工艺领先竞争对手一年，5nm工艺将于明年量产。

除了台积电之外，三星也在加大对先进工艺的追求。

目前路线图已达到3nm工艺节点。

下周，三星将公布3nm以下工艺路线图，逼近台积电，一步步挑战摩尔定律的极限。

。

半导体技术方面，台积电去年量产了7nm工艺（N7+）。

今年将量产第二代7nm工艺（N7+），并采用EUV光刻工艺。

2020年将转向5nm节点，已经开始使用Fab技术。

第十八工厂进行风险试生产，今年第二季度正式启动商业量产。

明年的5nm工艺将是第一代5nm，并且还会有升级版的5nm Plus（5nm+）工艺。

预计今年一季度进行风险试产，年内正式量产。

三星去年也公布了一系列路线图，而且比台积电更为激进。

直接进入EUV光刻时代。

去年曾表示将量产7nm EUV工艺，随后是5nm工艺，3nm工艺节点将启用GAA晶体管。

，MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥通道场效应晶体管）是利用纳米片设备制造的。

该技术可以显着增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

3nm之后呢？目前，台积电、三星甚至英特尔都没有提及3nm之后的硅基半导体工艺路线图。

此前人们认识到，3nm节点是摩尔定律最终失效的时刻。

随着晶体管尺寸的缩小，它们将遇到物理极限。

三星将于5月14日召开年度SSF代工论坛会议。

据悉，三星将在本次会议上公布3nm以下的制程技术，三星在该领域的进展将影响半导体晶圆代工的未来。

市场结构。

三星即将公布3nm以下工艺路线图，挑战硅基半导体极限

三星即将公布3nm以下工艺路线图，挑战硅基半导体极限

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