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06-18
晶圆代工厂大厂三星宣布正式开始使用其7纳米LPP工艺生产晶圆。
三星的7纳米LPP工艺采用极紫外光刻（EUV）技术，这将使三星的7纳米LPP工艺能够显着提高芯片内的晶体管密度，同时优化其功耗。
此外，使用EUV技术还可以使客户减少每个芯片所需的光掩模数量，降低生产成本并缩短其生产时间。
三星表示，在相同复杂度下，7纳米LPP工艺与上一代10纳米FinFET工艺相比，芯片面积可减少40%，功耗可降低50%，性能可提升20%。
另外，在生产成本方面，由于7纳米LPP工艺采用了EUV技术，在使用13.5nm波长对硅片进行曝光时，与传统氟化氩（ArF）浸没式使用nm波长进行曝光相比，技术、EUV技术只需要单个掩模即可完成单层硅片的曝光，而传统ArF需要4个掩模才能处理。
因此，7纳米LPP工艺不仅降低了生产成本，还缩短了生产时间。
三星进一步指出，三星对EUV技术的开发始于20世纪90年代。
三星通过与领先的行业设备供应商合作，在其生产设施中设计并安装了新设备，以确保EUV技术生产下晶圆的稳定性。
目前，初步的 EUV 技术生产流程已在韩国华城的三星 S3 工厂开始。
到今年年底，三星希望利用内置 EUV 技术的新工艺，为需要量产下一代芯片的 IC 设计人员提供更大的产能。
而且，三星由于EUV技术的引入，进一步开发了专有设备。
例如，独特的掩模检测工具可以对EUV掩模进行早期缺陷检测，从而在制造过程中尽早消除缺陷并提高良率。
三星还表示，新一代7纳米LPP工艺将针对包括5G、人工智能、企业和超大规模数据中心、物联网、汽车和网络等应用的需求。
此外，三星的Advanced Foundry Ecosyste也准备推出内置EUV技术的7纳米LPP工艺。
也就是说，整个行业的生态系统合作伙伴将提供基础和先进的IP、先进的封装和服务，使三星客户能够在这个新平台上开发他们的产品。
目前提供这些服务的厂商包括Ansys、Arm、Cadence、Mentor、SEMCO、Synopsys和VeriSilicon等，提供的接口IP解决方案包括HBM2/2E、GDDR6、DDR5、USB 3.1、PCIe 5.0和G SerDes。
不过，三星并未透露此次使用其7纳米LPP工艺的第一个客户的名字。
它只是表示，首批采用新工艺的芯片将主要针对移动和HPC应用。
不过，根据以往的经验，三星电子将是半导体代工领域第一个采用新工艺技术的客户。
因此，预计到今年，三星将推出用于智能手机的自有品牌7nm工艺处理器。
此外，目前三星代工业务的重要客户高通也有望采用全新的7纳米LPP工艺技术来生产“骁龙5G”移动处理器。
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