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Soitec 绝缘体上硅 (SOI) 晶圆成为瑞萨新型 SOTBTM 能量收集芯片组的核心成员

发布于:2024-06-06 编辑:匿名 来源:网络

Soitec 的创新基板为物联网设备开辟了自供电的未来模式 北京,2019 年 11 月 15 日 - 作为设计和全球创新半导体材料生产领导者法国 Soitec Semiconductor 今天宣布,瑞萨电子已采用 Soitec 的全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 晶圆产品线的专用版本,用于其 65nm 超低功耗 SOTBTM 工艺生产。

至此,瑞萨全新基于SOTBTM技术的芯片克服了物联网设备的能源限制,将功耗降低至市场现有产品的十分之一,使其更适合超低功耗和能量收集应用。

瑞萨电子基于 SOTB 技术的新型芯片将功耗降低至市场上现有产品的十分之一。

瑞萨电子利用其独特的 SOTB 工艺技术开发了一款能量收集芯片,可以收集 20μA/MHz 的低有效电流和 nA 深度待机电流。

该产品的超低功耗性能可在端点实现免维护功能,以帮助连接物联网传感设备。

对于从事芯片安装工艺的消费电子开发人员来说,如何利用这些传感器节点内的能量收集功能来设计免维护设备,特别是在可穿戴设备、智能家居应用、手表、便携式设备和基础设施监控系统中?实现免维护功能变得越来越重要。

Soitec 绝缘体上硅 (SOI) 晶圆成为瑞萨新型 SOTBTM 能量收集芯片组的核心成员

超低能耗器件瑞萨电子选择Soitec衬底作为其超薄均匀有源层,是目前量产的薄晶硅(SOI)下最薄的埋层氧化物(BOX)。

由于使用了 Soitec 基板,瑞萨 SOTB 芯片组可以增强对晶体管静电的控制,并将待机和工作电流降低到前所未有的水平。

此外,瑞萨电子还成功提供了无障碍通道,以抑制超低电压操作的 Vth 变化,以及超低功耗反向偏置控制,同时降低待机电流。

Soitec 数字电子业务部执行副总裁 Christophe Maleville 表示:“Soitec 和瑞萨团队在 SOTB 技术开发方面的密切合作进一步表明,完全耗尽的设备将彻底改变我们的日常生活。

我们很高兴成为瑞萨 SOTB 产品系列的一员,我们也期待为促进超低功耗器件创新生态系统的发展贡献自己的一份微薄之力。

”瑞萨工业解决方案业务部的业务部。

以及消费应用领域的创新,我们将专有的能量收集技术 SOTB 集成到我们的能量收集控制器中。

我们相信,瑞萨电子基于Soitec超薄基板的SOTB技术可以为开发不需要供电和更换的免维护物联网设备提供无与伦比的性能,从而推动基于端点智能的新物联网市场的发展。

》注:本文图片均来自瑞萨电子官网。

关于Soitec 法国Soitec半导体公司是创新半导体材料设计和生产的全球领导者,以其独特的技术和专业知识服务于电子和能源市场。

Soitec是创新半导体材料设计和生产的全球领导者,拥有多项专利,Soitec在不断创新的基础上满足客户对高性能、低能耗、低成本的需求。

,在欧洲、美国和亚洲设有研发中心和办事处。

Soitec 绝缘体上硅 (SOI) 晶圆成为瑞萨新型 SOTBTM 能量收集芯片组的核心成员

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