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06-18
聚恒网 中国内存工厂运转正常。
疫情尚未造成供应问题。
韩国疫情爆发！内存芯片或将暴涨！经过一年多的景气周期，各大内存厂商都成功降低了库存。
此外，在供给端新增产能有限的情况下，今年受益5G时代的到来，供需将趋于平衡，甚至可能超过供给；随着行业将迎来美好的一年。
今年台厂也将陆续推出新制程技术，乘着牛市，产业景气进入上升周期。
过去一年多来，DRAM原厂去库存取得了成功。
除了去年三季度需求旺季的顺利启动外，市场新增产能也有限。
在5G需求的推动下，加上智能音箱、4K/8K电视、ADAS（高级驾驶辅助系统）、物联网、人工智能等也将持续带动DRAM需求。
业内人士乐观地认为今年DRAM供需将趋于稳定，下半年甚至可能超过供应。
除了供应商库存持续下降和保守的供应增长外，NAND Flash还受到5G需求的推动。
此外，笔记本电脑配备SSD的比例和容量也大幅增加。
数据中心客户也在积极备货，下一代游戏机将配备SSD规格。
改进等，成为刺激NAND Flash需求的动力。
今年，NAND价格有望从去年的雪崩中恢复过来并稳步上涨。
下半年他们还可能面临供应短缺的情况。
就在去年内存产业即将触底之际，今年台厂的新制程技术也将发布。
旺宏NOR Flash和NAND Flash产品线一直坚持自主研发技术。
去年，他们成功量产了19nm SLC NAND Flash，继续追赶各大NAND Flash厂商。
首批SLC NAND Flash 4GB产品已发往美国。
机顶盒的主要客户。
除了SLC NAND之外，旺宏电子还将在今年下半年量产48层3D NAND Flash。
预计届时主要游戏机客户也将采用它。
旺宏电子还预计每年量产96层3D NAND和3层3D NAND。
华邦有工研院的技术转移背景，其早期的DRAM工艺主要是从英飞凌分拆出来的奇梦达授权的。
不过，在奇梦达倒闭后，华邦收购了其46纳米DRAM工艺技术，成为其自主研发的基础上，成功自主研发了38纳米技术，并于今年第四季度开始小规模量产25纳米DRAM工艺技术。
然而，从今年第三季度开始，DRAM行业受中美贸易影响，加上终端需求放缓，供给端集中在下半年，DRAM价格结束第四季度连续九个季度上涨，而华邦25纳米工艺量产时机恰逢DRAM市场出现逆转。
受DRAM市况不佳影响，华邦转向新25纳米制程难度加大。
客户验证速度减慢，价格压力加大。
去年第二季度，25nm仅占DRAM整体营收的2%左右。
但受益于三季度传统旺季需求的顺利启动，四季度这一比例已增长至6%。
但受DRAM价格下滑以及25纳米开发成本高企影响，第四季度单季经营转为亏损。
。
不过，华邦乐观地认为，本季度25纳米工艺良率将趋于稳定，向新工艺的过渡有望逐步走上正轨；为了准备下一代20纳米技术，华邦也将在中科的12英寸工厂进行新工艺的研发，预计新设备的安装将在第二和第三季度到位今年的。
Nanya 目前的主要重点是 20 纳米工艺技术，并获得 Micron 的许可。
今年年初，其宣布成功研发出全新10纳米DRAM存储单元技术，再次回归自主研发之路。
第一代10纳米主导产品8Gb DDR4、LPDDR4和DDR5，涵盖消费类、低功耗和标准产品，预计今年下半年进入试产。
第二代10纳米工艺技术已进入研发阶段。
预计年内试制。
第三代10纳米工艺技术也将得到开发。
确定下一代10纳米DRAM将采用自主研发技术，不再进行授权。
许可费和专利费动辄就达到数百亿元。
虽然目前台湾厂商在DRAM和NAND Flash市场的市占率仍不高，但随着各存储器厂商自主研发的新制程技术逐渐投入量产，与各大厂商的技术差距正在逐渐缩小，受益5G商机提振产业需求。
今年的记忆将会是美好的一年。
新工艺技术的转让也有望赶上这个上升的经济周期并起飞。
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