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联电与美国公司 Avalanche 合作开发 MRAM 及相关 28 纳米产品

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

联电现将通过今日（六日）授权 Avalanche 及 Avalanche 为客户提供高性价比的 28 纳米嵌入式非易失性 MRAM 技术，下一代ST-MRAM（自旋转移矩磁阻RAM）的领导者联合宣布，两家公司已成为合作伙伴，共同开发和生产磁阻随机存取存储器（MRAM）以取代嵌入式存储器。

同时，联华电子还将通过Avalanche的授权向其他公司提供技术。

根据这份合作协议，联华电子提供28nm CMOS工艺上的嵌入式非易失性MRAM模块，供客户将低延迟、超高性能和低功耗的嵌入式MRAM存储器模块集成到应用产品中，并锁定在微控制器（MCU）上。

）和片上系统（SoC），适用于物联网、可穿戴设备、消费产品以及工业和汽车电子市场。

两家公司还考虑将合作范围扩大到28纳米以下的工艺技术，利用Avalanche在CMOS技术中的兼容性和可扩展性特性，以应用于各种先进工艺。

联电与美国公司 Avalanche 合作开发 MRAM 及相关 28 纳米产品

这使得这些统一存储器（非易失性和静态随机存取存储器SRAM）能够顺利转移到下一代高度集成的微控制器（MCU）和片上系统（SoC）。

这样，系统设计者可以直接修改相同的架构和相关的软件系统，而无需重新设计。

Avalanche 首席执行官兼联合创始人 Petro Estakhri 表示：“我们很高兴我们的团队中有像联华电子这样的世界级半导体代工领导者，为我们带来了市场上最先进的技术。

”联华电子先进技术部副总经理洪贵军也表示：“联华电子不断推出不断改进的制程技术，以增强客户的竞争优势。

随着嵌入式非易失性存储器NVM解决方案在当前芯片设计行业日益流行，我们已经为新兴消费和汽车电子应用等高增长行业的客户建立了强大而坚实的嵌入式非易失性存储器解决方案产品组合，我们非常高兴与 Avalanche 合作开发 28nm MRAM，我们对此充满期待。

合作流程将推进至联电客户量产阶段。

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