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06-18
作者：Nitin Dahad，10月29日——比利时研究机构Imec与光刻设备制造商ASML计划建立联合研究实验室，共同探索后3nm（post -3nm）逻辑节点纳米级元件制造蓝图。
imec与ASML建立了近30年的长期合作关系。
双方的此次合作是五年计划的一部分，将分为两个阶段。
首先是开发并加速将极紫外（EUV）光刻技术引入量产，包括最新EUV设备的制备。
第二阶段将共同探索下一代高数值孔径（NA）EUV光刻技术的潜力，以便可以制造更小的纳米级元件，从而推动半导体微缩至3nm以上。
第一阶段预计在今年年底之前，新实验室将在 Imec 的洁净室中安装 ASML 的 NXE:B 量产专用 EUV 扫描仪，并将寻求开发和改进当前的 0.33 NA EUV 光刻技术。
借助Imec的基础设施和技术平台，imec和ASML的研究人员及合作伙伴公司将利用该实验室主动分析和解决缺陷、可靠性和良率等技术挑战，加速EUV技术的产业化。
NXE:B EUV 系统采用 W 光源，每小时可提供超过 1 片晶圆的吞吐量，这是大批量生产的重要要求。
安装在 Imec 的系统还将配备最新的校准和液位传感器，以实现高吞吐量的最佳过程控制，以便于与最新的浸入式扫描仪 NXT:i 进行叠加匹配。
NXT:i扫描仪将于2018年安装在imec的洁净室中。
此外，ASML和Imec将通过新的ASML YieldStar光学计量系统和ASML-HMI多电子束计量设备扩展计量能力，以更准确、更快速地评估纳米级结构。
第二阶段，Imec和ASML将共同建设高NA EUV研究实验室。
两个组织的研究人员将试验具有更高数值孔径的下一代 EUV 光刻技术。
具有更高数值孔径的系统可以以更大的角度将 EUV 光源投射到晶圆上，从而提高分辨率并缩小特征尺寸。
更具体地说，计划在联合研究实验室安装的新型高NA EUV EXE：系统将以0.55 NA取代当前NXE：EUV系统中使用的0.33 NA。
ASML预计EXE：将于2020年推出，成为其新一代EUV光刻平台。
该公司表示，高NA系统将在未来十年实现芯片几何级缩小，提供比ASML现有EUV系统提高70%的分辨率和叠加能力。
Imec 总裁兼首席执行官 Luc Van den hove 告诉《EE Times》，第一台新机器将安装在高数值孔径 EUV 研究实验室中进行早期测试。
那么Imec在开发3nm后工艺系统时面临哪些挑战呢？ Van den Hove表示，imec重点关注的三个主要研究领域包括光刻胶技术、光掩模防尘膜技术和工艺优化。
Van den hove表示：光刻胶技术需要进一步改进以降低缺陷率。
您希望光刻胶更敏感，但更高的灵敏度会增加缺陷率。
他表示，这是一个逐步提高性能的迭代过程，但多年来进展缓慢。
不过，他强调，随着更多EUV系统的部署，生态系统中更多的光刻胶供应商很快就能以更快的速度带来更多改进机会。
EUV光掩模防尘膜的到达速度也相当缓慢。
范登霍夫表示，最大的挑战仍然是透明度，Imec 正计划解决这个问题。
Van den hove补充说，Imec在当前EUV技术发展中的作用在于其组织和协调所有参与者的能力——从光刻胶和掩模供应商到检验和计量以及最终的客户。
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