易凯资本宣布提拔张骁为合伙人
06-17
投资界（ID：pedaily）3月3日消息，近日，苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）宣布完成B+轮数亿元战略融资。
本轮融资由歌尔微电子（歌尔41.SZ控股子公司）领投，高瓴创投、汇友资本、创新工场、合创致远、共青城君合、英菲尼迪基金、三七互娱、中信证券等跟投。
等跟投，老股东元和控股、湖山资本等持续加大投资力度。
本次B+轮战略融资将主要用于晶湛半导体总部及研发中心建设。
项目建成后，晶湛半导体将建设氮化镓电力电子、射频电子和微显示材料的研发和生产基地，推动晶湛半导体进入新的发展阶段。
晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术先驱程凯博士于2018年3月回国创立。
位于苏州工业园区，拥有国际先进的氮化镓外延材料。
研发及产业化基地致力于为电力电子、射频电子、微显示等领域提供优质氮化镓外延材料解决方案。
是目前全球唯一能够供应mm硅基氮化镓外延产品的厂家，技术实力位居全球前列。
领先地位。
在公司发展过程中，晶湛创造了多个行业第一。
年底，晶湛半导体率先发布全球首款商用8英寸硅基氮化镓外延片产品。
经相关下游客户验证，该材料具有国际领先的技术指标和优异的性能，填补了国内氮化镓行业的空白。
。
今年9月，晶湛半导体成功推出全球首款12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，赢得了业界的广泛关注。
经过多年潜心发展，晶湛半导体已成为国内氮化镓材料研发及产业化的领先企业。
通过与全球数百家知名半导体科技公司和大学研究院客户建立广泛深入的合作，晶湛半导体多次在行业顶级期刊《自然》上发表文章。
Electronics、IEEE Electron Device Letters、国际顶级会议IEDM发布了相关创新成果，引起了国际半导体界的广泛关注和一致好评。
晶湛半导体高度重视自主研发和核心知识产权工作。
掌握了氮化镓外延领域的多项核心技术，拥有完全独立的自主知识产权。
晶湛半导体近期累计申请国内外专利，已获得专利100余项。
专利授权。
公司还荣获苏州市技术发明奖一等奖、苏州工业园区十佳专利授权企业、苏州工业园区知识产权高质量创造奖、江苏省百项优质发明专利、江苏省优质发明专利、苏州市优秀专利。
奖、国家高新技术企业、苏州市独角兽培育企业、苏州市企业工程技术研究中心等一系列资质和荣誉。
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