光子集成技术有助于提高下一代光学互连的带宽和能源效率美国加利福尼亚州圣克拉拉(2020 年 3 月 14 日)——格罗方德今天透露有关其硅光子路线图的新信息,推动数据中心和云应用的下一代光学互连。
格芯已经认证了业界首个使用毫米晶圆的90纳米制造工艺,并宣布未来的45纳米技术将带来更高的带宽和能效。
格芯的硅光子技术旨在解决全球通信基础设施中的海量数据增长问题。
与使用铜线电信号传输数据的传统互连不同,硅光子技术使用光纤光脉冲以更高的速度和更低的能耗在更长的距离上传输数据。
“带宽需求呈爆炸式增长,迫切需要新一代光互连。
”格芯 ASIC 业务部高级副总裁 Mike Cadigan 表示:“无论是数据中心内的芯片之间,还是相距数千英里的云服务器之间,我们的硅光子技术使客户能够以前所未有的连接水平传输大量数据。
格芯的硅光子技术将微型光学元件和电路并排集成在单个硅芯片上,该“单芯片”解决方案利用标准硅制造技术来提高客户部署光学互连系统的效率并降低成本。
目前使用毫米晶圆晶格核心的产品依赖于 90 nm RF SOI 工艺,该工艺利用了该公司在制造高性能射频 (RF) 芯片方面的一流经验,该平台可以实现提供 30GHz 带宽的解决方案,支持。
客户端数据传输速率高达Gbps,同时数据传输距离增加至km。
该技术之前使用 3mm 晶圆工艺,格芯位于纽约州 East Fishkill 的 Fab 10 现已获得 3mm 直径晶圆认证。
使用毫米晶圆可以帮助提高客户产能和生产率,将光子损失减少2倍,扩大覆盖范围,实现更高效的光学系统。
Cadence Design Systems 针对 E/O/E、协同设计、偏振、温度和波长参数的完整 PDK 支持 90 nm 技术,并提供差异化??的光子测试功能,范围从技术鉴定和建模到 MCM 产品测试 五个测试部分。
未来路线图 格芯新一代单芯片硅光子产品将采用45纳米射频SOI工艺,计划于2020年投产。
该技术采用更先进的45纳米节点,功耗更低、尺寸更小、带宽更高为光收发器产品满足下一代太比特应用。
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