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06-17
在本周于旧金山举行的 SEMICON West 大会上，英特尔推出了三项全新的先进芯片封装技术，并推出了一系列新的基础工具，其中包括 EMIB 和 Foveros 技术的组合。
创新应用、新型全向互连（ODI）技术等。
封装作为芯片制造过程的最后一步，在电子供应链中看似不起眼，但一直扮演着极其关键的角色。
封装作为处理器和主板之间的物理接口，为芯片的电信号和电源提供了落地点。
尤其是随着行业的进步和变化，先进封装的作用越来越凸显。
另一方面，随着半导体工艺和芯片架构日益复杂，传统的SoC二维单芯片思路逐渐行不通，多个小芯片的chiplet封装已成为大势所趋。
英特尔采用先进技术将芯片和小芯片封装在一起，以实现 SoC 性能。
异构集成技术提供了前所未有的灵活性，可以混合和匹配各种IP和工艺、不同的存储器和I/O单元。
英特尔的垂直整合结构在异构整合时代尤其具有优势。
Intel此次公布的三项全新封装技术分别是： 1、Co-EMIB采用高密度互连技术，将EMIB（嵌入式多芯片互连桥）2D封装和Foveros 3D封装技术相结合，实现高带宽、低功耗、以及极具竞争力的 I/O 密度。
Co-EMIB可以连接更高的计算性能和能力，允许两个或多个Foveros组件互连以本质上实现SoC性能，并且还可以以非常高的带宽和非常低的功耗连接仿真器、存储器和其他模块。
Foveros 3D封装是英特尔今年早些时候在CES上提出的一项全新技术。
它首次引入了CPU处理器的3D堆叠设计，可以将芯片堆叠在芯片上，并将不同工艺、结构和用途的芯片集成在一起。
相关产品将从明年开始推出，下半年将逐步推出。
2、ODI ODI Omni-Directional Interconnect，即全方位互连技术，为封装中的中小型芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。
在 ODI 封装架构中，顶部芯片可以与其他小芯片水平通信（如在 EMIB 下），也可以通过硅通孔（TSV）与下方芯片垂直通信（如在 Foveros 下）。
ODI 利用更大的垂直通孔直接从封装基板向顶部芯片供电。
它们比传统的硅通孔更大且电阻更低，从而提供更稳定的电力传输，同时通过堆叠实现更高的带宽和更好的性能。
低延迟。
此外，这种方法减少了基础芯片中所需的硅通孔数量，为有源晶体管腾出了更多面积并优化了芯片尺寸。
3、MDIO 基于高级接口总线（AIB）物理层互连技术，英特尔发布了这种新的裸片间接口技术，称为MDIO。
MDIO技术支持小芯片IP模块库的模块化系统设计，更加节能，响应速度和带宽密度可达到AIB技术的两倍以上。
英特尔强调，这些新的封装技术将与英特尔的工艺技术相结合，成为芯片架构师自由设计创新产品的创意调色板。
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