紫光展锐集团任命坂本幸雄为日本分公司高级副总裁兼首席执行官
06-08
新闻摘自快科技链接：台积电5nm良率已达50%。
因为国内芯片制造工艺跟不上国内芯片设计的发展步伐，而国外尤其是美国对芯片制造不感兴趣。
这个过程中会设置越来越多的障碍；这会给国内FAB工厂带来无形的压力。
中芯国际此前曾表示，14nm工艺已经在试产，今年将迎来爆发。
预计到年底将达到目前水平的3-5倍。
与此同时，12nm也已进入测试阶段。
今年有望试产更先进的产品。
7nm工艺（SiSC：之前订购的1.2亿美元的ASML光刻机到了吗？）。
此外，有外媒报道称，中国本土PC和服务器处理器的30%预计将由国内设计和制造。
据了解，中芯国际早在2018年就开始了14nm工艺的研发，并在2018年解决了技术问题。
此前有媒体报道，中芯国际高管表示，14nm工艺良率已达95%，技术成熟度还是很好的。
然而，对于中芯国际来说，达到良率只是第一个门槛。
大规模量产是一个更大的门槛。
这个过程最需要的是客户。
14nm工艺需要有客户需求。
需求越高，生产能力就越高。
可以建造更大的。
目前来看，中芯国际仍处于早期阶段，与三星、台积电相比，劣势明显。
不久前，华为已经确认了14nm工艺订单。
不过，对于14nm工艺来说，三星和台积电都已经过了折旧期，因此中芯国际的工艺成本优势明显，而中芯国际只能依靠中国大陆的客户支持。
至于产能问题，中芯南方位于上海的12英寸晶圆厂年底生产了约12片晶圆，产量很低。
根据中芯国际联席CEO梁孟松此前在财报会议上的表态，今年3月14nm月产能将达到4K、7月9K、12月15K，将是目前规模的3-5倍；中芯国际14nm产能在0晶圆/月后应该不会继续增加，还会有更新的工艺。
中芯国际的14nm工艺预计未来将改进为12nm FinFET工艺。
据官方介绍，与14nm工艺相比，12nm工艺主要是缩小晶体管尺寸，可降低功耗20%，性能提升10%，错误率降低20%。
目前的进展是12nm工艺已进入客户导入阶段。
在今年2月13日召开的Q4财报会议上，梁孟松博士首次披露了N、N代流程。
他表示，与14nm相比，N工艺的性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积减少了63%，SoC面积减少了55%。
芯片面积减少55%意味着晶体管密度增加了一倍，超过了14nm到10nm工艺的进化水平。
台积电将密度从 14nm 翻倍到 7nm。
这意味着，从功耗和稳定性的角度来看，N基本跳过10nm，推进到7nm。
但从性能角度来看，这10%的提升并不足以证明N与7nm工艺相当。
按照行业标准，应该提高35%。
综上所述，中芯国际推出的N工艺主要用于制造低功耗芯片。
预计今年年底开始试生产，正式量产要到明年。
N之后，中芯国际正在规划N代FinFET工艺。
两者在功耗方面表现相似。
两者的区别在于性能和成本。
N是针对高性能工艺，成本也会增加。
与台积电的7nm工艺路线类似，7nm节点推出了低功耗N7、高性能N7P、N7+三种工艺。
事实上，直到今年3月份N7+工艺量产时，才使用EUV光刻机。
，而在后续的5nm节点，将标配EUV工艺，掩模层数将从4层增加到14层。
此前有分析师认为，2020年将是中国半导体行业的分水岭，未来中国科技企业将能够掌握多项先进半导体技术。
------------14/12nm工艺量产后，大家都知道这件事对于国内半导体制造来说意义重大，但是会产生多大的影响呢？从分析机构的评价来看，采用14/12nm工艺，可以满足国内90%的芯片代工需求。
也就是说，即使出现意外情况，中芯国际14/12nm量产后，国内也可以代工生产90%以上的芯片。
目前台积电、三星等晶圆代工厂已经开始量产7nm工艺，今年还将有5nm工艺量产。
就顶尖技术水平而言，中芯国际与这些公司之间还存在2-3代的代差。
。
但从另一个角度来看，7nm及以后工艺的成本越来越高，需要并且能够负担得起该工艺的芯片将会越来越少。
今年只有华为麒麟和苹果A14确定能够使用5nm。
因此，虽然国产14nm工艺距最先进水平还有很大距离，但只要稳定量产，大部分国产高性能芯片还是可以保证的。
Intel目前的桌面处理器、AMD的Ryzen二代、二代也都是采用14/12nm级别的工艺生产。
它们并不是过时或过时的技术。
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