瑞光康泰完成5500万B+轮融资，东方富海领投
06-17
·作为全球最好的电动汽车动力系统的核心部件，碳化硅芯片正在向更大的毫米级晶圆转型，通过加速产量来满足全球不断增长的需求需求 · 应用材料公司的新型毫米级化学机械平坦化 (CMP) 系统可以准确地从晶圆上去除碳化硅材料，以最大限度地提高芯片性能、可靠性和产量 · 应用材料公司的新型碳化硅芯片“热注入”技术可以最大限度地减少对晶体结构的损坏，同时注入离子，从而最大限度地提高发电量和设备产量。
2019年9月8日，加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司今日宣??布推出多项新产品，助力全球领先的碳化硅（以下简称SiC）芯片制造商从毫米晶圆量产转向毫米晶圆量产生产，每个晶圆的芯片数量几乎翻倍。
满足全球对优质电动汽车动力系统不断增长的需求。
SiC功率半导体可以高效地将电池电力转化为扭矩，从而提高车辆性能并延长行驶里程，因此需求旺盛。
SiC 的固有特性使其比硅更硬，但它也具有天然缺陷，可能导致电气性能、功率效率、可靠性和产量下降。
因此，有必要在量产前通过先进材料工程优化未加工的晶圆，并在构建电路的同时尽量减少晶格损伤。
应用材料集团副总裁兼ICAPS业务部总经理Sundar Ramamurthy表示：“为了助力计算机创新，芯片制造商将希望转向不断扩大晶圆尺寸、大幅提高芯片产量，以满足全球快速增长的需求。
现在，另一波创新浪潮正在开始形成，这将受益于应用材料公司在工业规模材料工程方面的专业知识。
通过在更大的毫米晶圆上提供最高性能的碳化硅功率器件，我们将能够抓住这个拐点，引领世界加速从硅到碳化硅的过渡，我们可以增加最终客户的价值并满足不断增长的需求。
”洛威也说道。
表示：“应用材料公司的支持将有助于加速我们在奥尔巴尼的毫米级工艺的技术验证，而我们莫霍克谷晶圆厂的多台设备的安装也正在紧锣密鼓地进行中。
在两者的帮助下，转型进展迅速。
”仅此而已，应用材料公司的ICAPS团队目前正在开发热注入等新技术，拓宽和深化我们的技术合作，使我们的电源技术路线图能够快速发展。
新型毫米级 SiCCMP 系统 SiC 晶圆表面质量对于 SiC 器件制造至关重要，因为晶圆表面上的任何缺陷都会传递到后续层。
为了批量生产具有最高质量表面的均匀晶圆，应用材料公司开发了 Mirra? Durum? CMP* 系统，该系统将抛光、材料去除测量、清洁和干燥集成到一个系统中。
该新系统生产的成品晶圆的表面粗糙度仅为机械减薄 SiC 晶圆的 50 倍。
粗糙度是批量 CMP 工艺系统的三分之一。
为了帮助行业向毫米级晶圆过渡，应用材料公司发布了新型 Mirra? Durum? CMP 系统，该系统集成了抛光和材料去除功能。
在一台设备中进行测量、清洁和干燥，以批量生产具有极高质量表面的均匀晶圆 热注入可提高 SiC 芯片性能和功率效率 在 SiC 芯片制造过程中，离子注入将掺杂剂添加到材料中，以帮助支撑和引导高电流范围内的电流流动-由于SiC材料的密度和硬度，当前的电路极其困难，这需要精确放置和激活掺杂剂，同时最大限度地减少对晶格、性能和功率的损害。
效率降低。
应用材料公司通过其用于毫米级和毫米级 SiC 晶圆的新型 VIISta? D 热离子注入系统解决了这个问题。
这种热注入技术在注入离子的同时会破坏晶格结构。
应用材料公司的新型VIISta?D热离子注入系统可以将离子注入并扩散到毫米级和毫米级碳化硅晶圆中，产生的电阻率仅为室温注入的四十分之一。
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