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06-18
在近日举办的“Samsung Foundry Forum”（晶圆代工论坛）上，三星电子社长兼代工业务负责人崔时永（Siyoung Choi）公布了2nm计划的具体细节。
3nm/2nm工艺量产计划，同时发布新的17nm工艺，加强对传统工艺市场的竞争。
同时，台积电还积极推进3nm/2nm工艺和28nm工艺的建设和开发。
随着摩尔定律的不断演变，三星与台积电在代工领域的新一轮竞争又开始了。
3/2nm工艺平台成为新的竞争焦点。
由于芯荒加剧，晶圆代工领域受到高度关注。
尤其是3/2nm下一代制造工艺已成为三星、台积电、英特尔等领先半导体厂商竞争的焦点。
在晶圆代工论坛上，Siyoung Choi宣布三星电子将于今年上半年开始生产首批3nm芯片，第二代3nm芯片预计将于今年开始生产。
根据计划，三星电子的3nmGAA工艺将采用MBCFET晶体管结构。
与5nm工艺相比，其面积减少35%，性能提升30%，功耗降低50%。
Siyoung Choi表示：“我们将提高整体产能并引领最先进的技术，同时进一步扩大硅片规模并通过应用持续进行技术创新。
”相比之下，今年6月，台积电总裁魏哲家在2019台积电技术论坛上宣布，3nm芯片将于今年下半年量产。
显然，三星希望更早推出3nm工艺，以抢占先机。
事实上，三星此前曾计划今年开始量产3nm工艺。
然而，转向新制造技术的困难迫使三星推迟了大规模生产。
不过，三星推迟的量产计划仍然领先于台积电。
三星和台积电在2nm工艺上的竞争变得更加激烈。
在晶圆代工论坛上，Siyoung Choi表示，三星电子将在2020年推出基于MBCFET的2nm工艺。
据媒体报道，台积电预计2nm工艺全面量产将在2019-2020年左右。
此前，三星、IBM和英特尔签署了联合开发协议，共同开发2nm制造工艺。
今年5月，IBM率先发布全球首个2nm制造工艺。
实现芯片上每平方毫米集成3.33亿个晶体管，远超此前三星5nm工艺每平方毫米约1.27亿个晶体管，大幅提升芯片性能。
随着5G、高性能计算、人工智能的发展，市场对先进技术的需求不断增加。
作为先进技术的下一代技术节点，3/2nm已成为三星和台积电的发展重点。
半导体专家莫大康指出，由于2nm仍处于研发阶段，其工艺指标仍不清楚。
无法轻易判断是否也是大节点。
不过，根据台积电的工艺细节，3nm晶体管的密度已经达到2.5亿个/mm2。
与5nm相比，功耗下降了25%至30%，功能增加了10%至15%。
作为下一代节点，2nm的性能势必进一步提升，功耗也将进一步降低。
市场对其的需求是可以预见的。
17nm新工艺强化了传统工艺的市场竞争。
在本次活动上，三星电子还首次推出了17nm FinFET工艺技术。
该工艺是28nm工艺的进阶版本，集成了28nm BEOL后端工艺和14nm FEOL前端工艺。
与28nm工艺相比，性能提升39%，功效提升49%。
据莫大康介绍，三星的新工艺是将14nm FinFET与28nm金属布线部分相匹配。
由于采用FinFET技术，产品性能得到提升。
同时后端金属布线部分采用28nm工艺，在降低难度的同时也降低了难??度。
光刻成本也降低了。
这种设计很有创意，或者应该叫嫁接工艺，将正反面工艺分开。
更值得注意的是，该工艺将面向基于传统特殊工艺的芯片生产，适用于CIS（接触式图像传感器）、DDI（显示驱动IC）、MCU（微控制器）等领域。
目前，台积电也在积极扩大相关产能。
据悉，台积电将在台湾高雄新工厂二期扩建28纳米生产线。
与此同时，有消息称台积电正寻求与索尼合作在日本建设28纳米晶圆厂。
此前，台积电还披露了其南京12英寸晶圆厂的扩建计划，每月将新增4万片28纳米晶圆产能。
新产能将于今年上线。
有专家指出，三星17nm工艺的推出，意味着其与台积电的竞争正在从先进工艺延伸到特色工艺。
Siyoung Choi还表示，三星电子的制程技术自2009年以来每年都在升级，三星电子的代工业务将加强节点制程的多元化。
该工艺可为客户带来显着的成本优势，帮助他们完成从28nm到14nm的过渡。
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