绱佳获近千万元天使轮融资
06-17
投资圈（ID：pedaily）据10月27日消息，创和新材基金完成对安徽格恩半导体有限公司的独家投资。
格恩半导体主要从事高端化合物半导体外延材料、芯片和器件的研发、生产和销售。
目前已具备高功率半导体激光器、紫外LED、高功率LED的量产能力。
许多产品已被国产产品替代。
是中国唯一一家量产企业。
一家生产氮化镓（GaN）基半导体激光芯片的公司。
GaN基半导体蓝绿激光芯片市场长期被日本和德国企业垄断。
国外企业占据了激光照明、激光显示器、汽车前灯和激光工业焊接的大部分市场。
相关技术和工艺处于保密状态，下游国内厂商开发受相关芯片和器件的价格和供应限制，迫切需要国内供应商提供替代产品。
目前格恩半导体是国内一家兼具技术和量产能力的厂商。
拥有蓝绿光半导体激光器和大功率LED生产线。
也是全球少数具备该领域外延生长、芯片开发和器件封装能力的公司之一。
格恩半导体由国内外化合物半导体领域的领军人才共同创立。
核心团队成员均拥有十多年丰富的化合物半导体研发及产业化经验。
主要技术骨干包括中国科学院、清华大学、北京大学、中国科学技术大学等重点院校及国内高校的留学归国人员和毕业生。
来自国外半导体行业领先企业的专家。
团队凭借在化合物半导体特别是GaN材料领域多年的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，包括设计不对称势垒结构、改善铟析出以及通过参数控制、机器预处理和特殊工艺控制缺陷等。
兴奋剂。
密度、芯片倒装芯片结构设计、改进的腔体表面制造技术、芯片级共晶焊接等使得蓝绿激光芯片实现了量产。
国投创合表示，第三代半导体材料是我国重点发展的新材料领域，也是国投创合布局的重点领域之一。
除了导热系数外，第三代半导体材料GaN的其他关键参数都是众多半导体材料中最好的。
因此，GaN应用广泛，主要包括光电芯片（LED芯片、激光芯片）、功率芯片和射频芯片。
目前，国内普通LED芯片已被国产产品替代，但大功率LED芯片、激光芯片、功率芯片和射频芯片仍需迫切加强自主研发。
从产业链来看，GaN产业链分为衬底、外延、芯片和器件。
由于下游应用类型较多，需要针对不同的应用生产不同的外延层，设计制造不同的芯片结构。
外延层金属材料的添加和析出控制以及垂直芯片结构的制造具有较高的技术门槛。
外延和芯片密不可分。
因此，主流的产业分工是基板公司专门从事基板生长，外延、芯片设计、制造和封装都在同一家公司完成。
国投创合专注于掌握量产衬底生长技术或同时掌握外延和芯片设计制造技术的IDM企业。
格恩半导体不仅针对本土急需替代的激光芯片、大功率LED芯片，还布局功率芯片、射频芯片。
还掌握外延、芯片设计等关键技术，拥有深厚的“护城河”。
未来，国投创合将发挥产业链和平台资源优势，协助格恩半导体进一步扩产，帮助其成为国内GaN领域的领先企业。
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