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06-18
三星前不久发布的Q4季度财务指引显示，三星该季度利润将大幅下滑，同比下降9%，环比下降38.5%。
利润直线下降。
主要原因是三星智能手机业务低迷以及最关键存储芯片的降价。
这一趋势将持续到今年上半年。
为了弥补存储芯片降价周期的影响，三星早就开始强化代工业务。
如果它想赶上台积电，就必须与后者竞争先进工艺的量产。
据三星高管透露，他们将在今年下半年量产7nm EUV工艺，并在明年量产更先进的3nm GAA工艺。
Tomshardware网站报道称，三星晶圆代工业务营销副总裁Ryan Sanghyun Lee表示，三星自2016年以来一直在开发GAA（Gate-All-Around）技术，并利用纳米片设备制造MBCFET（多桥通道FET） 。
，多桥通道场效应晶体管），这项技术可以显着增强晶体管的性能。
据他透露，三星将于2020年量产3nm GAA工艺。
去年底，三星宣布将在2019年采用4nm GAA工艺。
加纳副总裁Samuel Wang等行业观察家对此表示怀疑。
今年之前已经开始量产GAA技术，但他现在也表示，三星看起来可能会比预期更早投入生产GAA芯片。
不过，对于3nm GAA工艺何时量产，三星似乎并没有统一立场。
三星晶圆代工业务负责人Eun Seung Jung在去年12月的IEDM会议上表示，三星已经完成了3nm工艺技术的性能验证。
，并且正在进一步完善工艺，目标是2020年大规模量产。
3nm GAA工艺无论是2018年还是2020年量产，距离还是有点遥远。
三星今年主推7nm EUV工艺，预计今年下半年量产。
虽然三星去年宣布7nm EUV工艺可以量产，但实际上之前提到的量产只是一次有风险的试产，远未达到大规模量产的底部。
量产要到今年年底才能实现。
在7nm EUV工艺上，台积电此前也宣布今年量产。
看来三星的进步优势已经消失了。
不过，三星在7nm EUV工艺上有自己开发的掩模检测工具，而其他公司没有类似的商业工具。
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