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北方华创ICP刻蚀设备助力上海ICRD实现14nm SADP自主工艺研发重大突破

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

11月21日，上海集成电路研究开发中心有限公司（ICRD）与北方华创科技集团有限公司合作。

联合宣布，ICRD采用北方华创的NMCD电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机等国产设备，完成了14nm鳍式晶体管自对准双图形化（14nm FinFET SADP）相关工艺的自主开发。

各项工艺指标均达到批量生产要求。

集成电路14纳米核心工艺技术取得重大进展。

随着集成电路线宽逐渐减小，自对准双图案化（SADP）技术成功解决了纳米浸没式光刻和极紫外（EUV）光刻之间的过渡问题。

主流的14nm FinFET制造工艺也是5nm自对准四重图案化技术（Self-aligned Quadruple Patterning，SAQP）的基础。

SADP技术，即在完成一次光刻后，采用沉积和蚀刻工艺在模板线（Core）的侧壁上形成间隔物。

北方华创ICP刻蚀设备助力上海ICRD实现14nm SADP自主工艺研发重大突破

去除初始模板材料后，使用间隔物来定义所有所需的最终结构，从而使线密度加倍，解决了制备小尺寸图形的问题。

由于14nm FinFET SADP制造工艺的复杂性，目前Fab工厂制造工艺没有采用国产设备。

ICRD采用国产集成电路设备进行核心工艺研发。

采用北方华创NMC D ICP刻蚀机作为核心刻蚀工艺设备。

其工艺性能将直接影响鳍式晶体管器件的工艺性能和良率。

北方华创的NMCD ICP刻蚀机以其优异的刻蚀形貌控制、均匀性控制、更低的刻蚀损伤、更高的刻蚀选择性等方面的技术优势，为相关工艺的成功研发做出了重大贡献，为行业的发展做出了贡献。

5纳米。

SAQP技术的自主开发奠定了坚实的基础。

NMCD电感耦合等离子体刻蚀机在ICRD 14nm FinFET SADP工艺开发中的成功应用，是ICRD与北方华创战略合作的重大成果，填补了国内高端集成电路装备在先进集成电路领域的空白14nm工艺领域。

FinFET SADP刻蚀工艺应用上的差距证明国产机台性能已达到行业先进水平。

北方华创ICP刻蚀设备助力上海ICRD实现14nm SADP自主工艺研发重大突破

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