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深圳2019年10月31日 /美通社/ -- 近日，第二届中欧第三代半导体高峰论坛由铜剑科技、基础半导体联合主办、中欧创新中心中欧第三代半导体高峰论坛在深圳会展中心成功举办。
本届高峰论坛与第三代半导体产业技术创新战略联盟达成战略合作，将与第十五届中国国际半导体照明论坛、国际第三代半导体论坛同期举办。
来自中国、欧洲等国家的专家学者、企业领袖同台论剑，为观众带来一场第三代半导体产业盛宴。
中欧第三代半导体高峰论坛立足国际产业发展形势，从全球视角全面探讨第三代半导体发展的现状和趋势，以及面临的机遇和挑战，以及作为面向未来的战略和思维。
这就是中欧第三代半导体峰会。
论坛的目的。
目前，第三代半导体功率器件市场拐点已经到来，未来5-10年将快速增长。
国际竞争与合作是大势所趋，技术创新和市场引进至关重要。
中国政府正在积极部署第三代半导体发展，充分调动社会各方面创新资源，推动产业和技术发展，逐步形成产业集群发展，实现第三代半导体领域的跨越。
在上午举行的碳化硅材料与电力电子器件技术论坛上，山东大学教授、晶体材料国家重点实验室副主任徐显刚和伦斯勒理工学院电力电子系统中心主任周成达在美国共同主持了这次会议。
碳化硅功率器件领先品牌Basic Semiconductor副总经理张振忠、瑞典Ascatron公司首席技术官Adolf SCHONER、瑞典皇家理工学院教授Mietek BAKOWSKI、P.S.美国GT Advanced Technologies首席技术官RAGHAVAN、香港应用科技研究院功率器件组主任袁等专家分别发表主题演讲，重点关注高性能3D SiC JBS二极管、10 kV高压4H碳化硅PIN二极管的少数载流子寿命调制、WBG功率器件的现状及采用前景、碳化硅功率器件性能、衬底技术、功率模块和矩阵转换器等话题进行了详细介绍和进行了深入探讨。
基础半导体副总经理张振中博士发表主题演讲。
基础半导体张振中博士从碳化硅的性能优势、应用领域、产业链环节、技术发展路径和全球产业分布等方面介绍了碳化硅行业的发展现状，并重点介绍了基础半导体。
先进的3D SiC技术，以及自主研发的高性能碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品。
张振中博士的分享引起了在场业界人士的浓厚兴趣。
演讲结束后，不少观众来到基础半导体展位咨询，了解基础半导体的产品和技术优势。
基础半导体总经理、伟伟博士参加了圆桌论坛。
下午举行的功率器件与驱动技术分论坛是行业专业人士和新老朋友的年度盛会。
活动由铜剑科技市场总监蔡雄飞主持，董事长王志涵博士致欢迎词并介绍了公司。
论坛特别邀请了国内光伏领域龙头企业阳光电源、轨道交通龙头企业中国中车的技术专家出席活动并分享技术。
阳光电源技术专家杨宗军详细介绍了光伏逆变器驱动应用、关键技术和典型案例，并现场解答了观众的提问。
中车时代电气张旭辉博士也专程出席本次活动，并隆重亮相，介绍中车碳化硅驱动箱。
铜剑科技研发总监黄辉、高级工程师熊凯分别介绍了铜剑科技的驱动技术和碳化硅驱动产品。
基础半导体技术市场经理刘成分享了最新的碳化硅器件及应用解决方案。
会议为行业人士提供了交流技术和信息的平台，通过前沿技术与行业观点的碰撞，促进行业健康快速发展。
本次高峰论坛吸引了来自世界各地的第三代半导体行业专业人士。
丰富的技术分享让观众感触颇多，不虚此行。
开放创新、合作共赢、创新芯智、共享生态，第二届中欧第三代半导体高峰论坛圆满结束。
让我们期待明年再次相聚，共同探讨第三代半导体产业新未来。
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