梵志医疗完成数千万元B1轮融资
06-18
投资界（ID：pedaily）5月3日消息，援引英飞凌科技有限公司官网2020年5月23日消息，英飞凌公司正在推动旗下碳化硅（SiC）多元化发展）供应商体系，并与中国碳化硅材料供应商北京天科合达半导体有限公司签订了长期供货协议，确保获得更有竞争力的供应商。
碳化硅来源。
天科合达将为英飞凌供应6英寸碳化硅材料，用于生产SiC半导体。
其供应量占英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。
英飞凌是国际知名的半导体公司，前身是西门子集团的半导体部门。
英飞凌技术实力雄厚，在功率半导体市场排名全球第一。
近年来，英飞凌持续强化SiC制造能力，持续看好亚太地区第三代半导体市场。
公司制定了长期目标，力争今年达到全球SiC市场份额30%的目标。
基于对碳化硅发展前景的充分看好，英飞凌在过去几年与全球主要碳化硅材料供应商签署了长期供应协议。
或许是出于对亚太市场尤其是中国市场的考虑，英飞凌推动与中国供应商天科合达签署了长期合作协议。
业内人士介绍，碳化硅材料公司天科合达是一家具有中科院背景、国资雄厚的高新技术企业。
公司成立于2001年，成立之初主要技术来自中国科学院物理研究所，主要产业化支持资金来自新疆天府集团。
近年来，随着“双碳”建设的深入实施以及国家对第三代半导体的大力支持，碳化硅市场随着新能源汽车、光伏风电、储能设施、轨道交通、5G通信、等作为主要应用增长迅速。
扩张。
以天科合达、天岳先进、硕科晶体等为代表的国内碳化硅材料企业面临着快速发展的机遇。
天科合达在导电基材领域尤为突出，占据国内一半以上市场份额，年度国际市场份额排名第四，产品良率也领先行业。
公司得到了国家政策资金和产业基金的大力支持。
国家集成电路产业投资基金、哈勃科技投资基金、比亚迪、宁德时代、润科基金均为天科合达股东。
双方合作协议的签署，是英飞凌对天科合达产品品质的充分肯定，也是英飞凌完善供应链建设的关键选择。
英飞凌位于马来西亚居林的碳化硅工厂计划于2019年投产，预计天科合达将有效保障该工厂碳化硅晶圆的供应。
在谈到碳化硅的重要优势时，陈小龙表示，碳化硅是引领第三代半导体产业发展的重要材料。
具有广阔的应用前景，为“双碳”战略的实施做出巨大贡献。
碳化硅属于第三代半导体材料。
与第一代硅基半导体材料和第二代砷化镓基半导体材料相比，具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、热导率高等优点，特别适合制作大功率、高功率器件。
- 高温和高压半导体器件。
例如，电动汽车采用碳化硅器件作为逆变器、变压器，甚至车载充电桩，可以做到体积小、重量轻，从而增加电动汽车的续航里程，同时还具有较高的转换效率和有效节约能源。
在光伏逆变器、储能逆变器领域，提高电能利用率，大幅降低能耗损失。
未来碳化硅器件将覆盖更高电压等级的器件，可应用于轨道交通、智能电网等领域。
碳化硅功率器件导通电阻低、开关频率高，可有效降低系统能耗，实现节能减排。
是服务“双碳”战略的重要材料。
但我国碳化硅技术起步较晚。
天科合达是中科院物理研究所产学研合作的成功典型案例，一直在推动国内碳化硅技术的进步。
碳化硅（SiC）晶体生长极其困难。
20世纪90年代，只有少数发达国家掌握SiC晶体生长和加工技术，我国起步较晚。
为推进SiC晶体国产化，不让我国宽禁带半导体产业“卡壳”，我们团队自2018年起自主研发，从生长设备到高品质SiC晶体生长加工均取得突破，从基础研究到应用研究。
技术。
我们形成了具有自主知识产权的完整技术路线，从而推动国内首家SiC晶体产业化公司北京天科合达的成立。
天科合达不断发展壮大，取得了良好的经济效益和社会效益，带动了全产业链的快速发展。
该团队由此荣获中国科学院年度科技发展奖，成为中科院与工研院合作的优秀案例。
对于此次签约，陈教授表示，与材料制造商签订长期合同一直是国际碳化硅器件制造商的通行做法。
英飞凌锁定天科合达部分产能，将有助于推动天科合达的技术进步。
也整合了英飞凌的供应链体系，是双赢的选择。
此外，中科院物理所陈小龙教授也表示，物理所研发团队目前也在关注碳化硅液相晶体生长技术，希望后续跟进基础研究和为其产业发展奠定基础。
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