江西吉安半导体智能制造产业园正在建设中
06-06
中关村在线 不久前，欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在线演讲中表示与ASML合作，更先进的光刻机已取得进展。
目前，ASML已经完成了NXE：系列高NA EUV曝光系统的基本设计，至于设备的商业化。
至少要等到2020年，而台积电和三星拿到设备之前，也要等到2020年。
台积电的材料研究也让1nm成为可能。
台积电与台湾交通大学联合开发出全球最薄的超薄二维半导体材料绝缘体，厚度仅为0.7nm，有望进一步发展2nm甚至1nm晶体管沟道。
台积电正在持续寻找2nm之后的先进制程选址，包括桥头科技、绿竹科技等，都是台积电评估中长期投资建厂时考虑的因素。
今年将是5nm爆发之年。
与3nm相比，今年也是3nm诞生或萌芽的一年。
据报道，台积电每台EUV光刻机每天的用电量高达3万千瓦时，其最新规划的3纳米工厂每年将消耗70亿千瓦时的电力。
动力不足可能成为制约台积电的首要因素之一。
SK海力士此前曾表示，EUV的能量转换效率仅为0.02%左右。
目前，W公司的EUV光刻机需要输入000万千瓦的功率。
这一功耗是传统ArF激光器的10倍以上。
W的EUV机器每天将消耗30,000千瓦时的电力。
“极紫外光的物理性质与普通紫外光有很大不同。
1）这种光非常容易被吸收，甚至空气都不透明，所以整个生产环境必须疏散；同时， 2）不能与玻璃一起使用 对于透镜折射，必须使用由硅和钼制成的特殊镀膜镜来校正光的前进方向，并且每次反射仍然会损失30％的能量，但是EUV机器必须通过。
通过十几块镜子将来自光源的光线一路引导到晶圆上，最终只剩下不到2%的光线。
”这是EUV机器消耗的主要原因之一。
这么大的力量。
正因为如此，台湾的人均用电量高得惊人，完全是台积电拉高了平均水平。
由于世界先进的新产品都在台积电生产，其满负荷运转的电源将经受严峻的考验。
台积电想要继续攀登先进技术的巅峰，可能首先需要考虑电源的问题。
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，本站不拥有所有权，不承担相关法律责任。如果发现本站有涉嫌抄袭的内容，欢迎发送邮件 举报，并提供相关证据，一经查实，本站将立刻删除涉嫌侵权内容。
标签：
相关文章
06-06
06-18
06-18
最新文章
英特尔收购芯片制造商eASIC，进一步减少对CPU的依赖
西门子携手现代汽车、起亚公司，共同推动交通运输行业数字化转型
行业领导者制定 Open Eye MSA 来帮助实现高速光连接应用
三星电子和 NAVER 合作
意法半导体和 Leti 合作开发 GaN-on-Si 功率转换技术
青岛将大力发展高世代TFT-LCD和Micro LED项目
长电科技参加IMAPS器件封装大会
三星正式发布Exynos 990旗舰处理器