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06-17
在人脑中，海马体负责与记忆相关的重要功能。
同样，在电子系统中，“海马体”的作用就是记忆。
作为半导体元件中不可或缺的组成部分，存储器和数据是一起诞生的。
它是应用最广泛、市场占有率最高的基础集成电路产品。
数据显示，全球存储器年收入增长1亿美元，占年度半导体市场收入增长的44%。
图1：年度全球半导体营收增长结构分布（前瞻产业研究院） 近年来，AI、物联网等技术推动消费电子和大型数据中心快速发展，市场对存储的需求呈现出持续增长的态势。
白热化趋势。
尤其是在物联网领域，产品的功耗和尺寸一直是行业不断寻求突破的方向。
对于存储器来说，低功耗、小尺寸、高运行速度等关键特性逐渐成为进入物联网应用的必要条件。
AIoT多样化的新需求和端侧算力推动各类存储器市场的增长和技术演进。
万物互联时代，数据流无止境；同时，算力的提升推动了计算结构的变化——从过去的端到云。
它已经成为当前云到端的解决方案。
这个过程不仅要求物联网设备具备网络连接能力，还需要一些基础的计算能力，即主芯片的计算能力。
这也意味着端侧的算法更大、更复杂，存储算法代码的内存容量也相应增大。
“NOR Flash具有随机存储、可靠性强、读取速度快、代码可执行等优良特性，有望取代物联网设备中的NAND Flash和DRAM。
处理器/主芯片可以直接从NOR Flash调用系统代码，运行可以同时满足存储和运行内存的要求，这使得NOR Flash的市场需求逐年增加，预计年增长率将超过10%。
”兆易创新存储事业部。
显然，物联网及相关AIoT产品（TWS、可穿戴设备）的爆发式增长已成为NOR闪存需求增长的主要驱动力。
相关数据显示，2018年全球NOR Flash市场规模约为30.6亿美元，今年将进一步增长至37.2亿美元。
陈辉介绍，作为存储领域的主力产品，兆易创新SPI NOR Flash已经拥有26个产品线系列、16个产品容量、7个温度规格、4个电压范围和25种封装方式。
数据显示，自2018年推出中国首款SPI NOR Flash以来，兆易创新已成为全球第三大、中国第一大SPI NOR Flash供应商，Flash产品累计出货量突破1亿颗！图 2：兆易创新推出全系列 NOR Flash 产品和解决方案。
耀眼成绩的背后，是兆易创新不断寻求自身突破的决心。
陈辉表示：“兆易创新的创新策略始终紧密结合市场动态，依靠产品定义和特性推出不同性能的产品，满足客户多样化的需求，逐渐覆盖工业、消费、甚至汽车等领域。
”目前，兆易创新55nm先进工艺技术的SPI NOR Flash已进入全线量产阶段。
与上一代产品相比，性能更高、容量更丰富、功耗更低。
针对汽车市场，还推出了汽车级3.0v和1.8v SPI NOR Flash产品，容量从2Mb到2Gb，满足不同的汽车应用需求。
除了NOR Flash之外，SLC NAND Flash和DRAM也是兆易创新在创新方面重点关注的存储产品方向，并持续加大投入。
今年10月，兆易创新正式推出国产24nm工艺节点的GD5F4GM5系列4Gb SPI NAND Flash产品。
该系列从设计研发、生产制造到封装测试各个环节都实现了纯粹的国产化和自主化，并已成功量产。
此外，在DRAM内存芯片布局方面，今年6月，兆易创新宣布量产首款自有品牌4Gb DDR4产品GDQ2BFAA系列。
该产品从设计、流片、封装测试到验证均已实现全国量产，标志着兆易创新成功将业务触角拓展至主流DRAM存储市场。
图3：兆易创新创新的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列在尺寸、功耗、安全性、性能上追求“全面卓越”？精湛的产品定义是一门艺术。
蓬勃发展的物联网为NOR Flash市场注入了一剂强心剂。
然而，物联网应用场景的多样性和复杂性也给NOR Flash带来了新的挑战。
例如，虽然封装尺寸小、信号引线少是SPI NOR Flash的主要优势，但在物联网设备日益小型化的要求下，进一步缩小产品封装尺寸势在必行；大多数物联网应用由于地理位置或成本原因，有的情况下甚至需要10年以上，因此功耗也是物联网终端或模块最重要的指标之一。
此外，容量、安全等方面也是厂商必须面对的挑战。
从近年来日益流行的可穿戴设备来看，此类设备一方面需要收集用户数据信息来提供智能建议，比如位置信息、心率信息等，另一方面也需要将外部数据传输给用户。
用户。
比如音乐、视频和通话等，这些过程都离不开NOR Flash的支持。
当内部空间非常宝贵时，电子元件需要满足小尺寸和低功耗的要求。
例如，随着TWS耳机进入2.0时代，包括OTA升级、骨传导、语音识别、降噪、触摸等功能的出现，为了存储更多的固件和代码程序，往往需要扩展一个32Mbit的存储空间。
甚至更大容量的SPI NOR Flash也要求小尺寸和低功耗。
作为回应，GigaDevice 今年早些时候宣布将在自己的存储设备中引入 WLCSP 封装。
与其他封装相比，同等容量下，兆易创新存储器件长宽尺寸最小可小于1mm，最薄为0.25mm，约为USON8（3mm x 2mm）封装的1/10体积。
对于TWS耳机产品，兆易创新还可以根据客户需求，将Flash与主芯片采用堆叠的形式进行堆叠。
无需为Flash开辟单独的空间，这大大有助于减少整个系统的PCB面积。
图4：WLCSP封装与其他封装的比较 图5：WLCSP封装与USON8封装相比，体积约为后者的十分之一。
此外，兆易创新还推出了业界读取功耗最低的LE系列SPI NOR Flash。
电压1.65~2.0V，产品容量覆盖2Mb~Mb，可满足不同的应用需求。
功耗方面，该LE系列的睡眠电流低至0.1uA，四通道Hz情况下读取功耗低至5mA，比行业平均水平低40%左右。
图6：在相同的封装尺寸下，兆易创新提供多种容量选择。
安全性是存储器设计和应用中的另一个主要考虑因素。
在物联网应用中，由于Flash存储了很多关键系统代码，因此比SoC更容易受到攻击，因此提高安全性尤为重要。
“提高系统安全性不能仅仅从Flash安全规范或加密技术入手，还需要对Flash和主芯片，如MCU、SoC等进行统筹考虑。
虽然安全级别一般是越高越好，但我们考虑Flash安全功能要与终端产品和主芯片的定位相匹配，才能做出符合市场需求的均衡产品。
”陈辉表示，“当然，兆易创新创新闪存正在与自家的MCU产品相结合，或更多。
SoC 制造商密切合作，以提高物联网设备和系统的安全性能。
“存储与计算融为一体，兆易创新创新产品的生态协同效应开始显现。
其实不仅仅是物联网，还有汽车电子、5G、智能手机、TDDI等需求推动融合触控功能融入驱动IC。
NOR Flash市场潜力已被充分激活。
”目前，兆易创新已与全球顶级通信设备厂商达成合作，其面向汽车市场的更大容量Mb-2Gb产品也已通过AEC。
-Q认证。
”陈辉表示，随着用户需求的增加、系统功能的更新、代码复杂度的增加，兆易创新的创新Flash产品未来将不断向大容量、高性能、高可靠性、低功耗、小封装方向演进。
除了Flash和MCU业务之外，兆易创新还积极推进产业融合，扩大战略布局，联动基于触摸和指纹识别的传感器业务，打造存储、控制、传感、互联、边缘计算的一体化解决方案，以满足客户的需求。
万物互联时代，兆易创新全面布局“存储+MCU+传感器”强强组合，即使在产能紧张的背景下，仍凭借多元化供应链管理的布局优势独占鳌头。
半导体公司有序恢复产能，应对不断变化的行业发展挑战。
关于兆易创新 北京兆易创新科技股份有限公司（股票代码86）是全球领先的无晶圆厂芯片供应商。
兆易创新成立于2019年4月，总部位于中国北京，在全球多个国家和地区设有分支机构，营销网络覆盖全球，提供优质、便捷的本地支持服务。
兆易创新致力于打造存储器和微控制器。
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