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06-17
台湾【商业时报】继完成整合扇出及基板（InFO_oS）及整合扇出内存及基板（InFO_MS去年）等先进封装技术认证并进入量产阶段，台积电持续拓展集成扇出晶圆级封装（InFO WLP）应用，例如再次推出InFO级晶圆级系统（System -on-Wafer）用于高性能计算（HPC）芯片，SoW）技术，可以直接将HPC芯片和散热模块集成在单个封装中，无需基板和PCB。
图：台积电 CoWoS 和 InFO 先进封装制程技术概览，半导体产业联盟 HPC 芯片是台积电今年营运增长的主要推动力之一，包括承接 AMD 的 Zen 2 和 Zen 3 架构 EPYC 服务器处理器以及 RDNA 和 RDNA 2架构图形芯片、NVIDIA Turing 和 Ampere 架构图形芯片、Xilinx 和 Intel 等的现场可编程逻辑门阵列（FPGA），以及为 Google 或 Microsoft 等互联网巨头打造的云或人工智能计算。
台积电除了扩大7nm、5nm等先进制程以满足HPC晶圆代工的强劲需求外，还同步加大了对先进封装的投入。
其中，台积电投资了CoWoS（Chip on Wafer on Substrate），即将逻辑芯片和DRAM放置在硅中介层上，然后封装在基板上。
这是台积电2018年宣布进军先进封装领域的首款产品。
从复活节彩蛋的工艺研发到量产，历时近10年。
主要为高端逻辑芯片量身定制，让HPC芯片获得更大的内存带宽，加速计算效率。
台积电最先进的CoWoS技术现在可以在芯片和基板的中介层中实现5层金属和深沟槽晶体管（DTC）。
台积电今年推出了CoWoS技术，支持5纳米逻辑SoC和2.5倍的标线尺寸（reticle），支持最多6个HBM2e内存，最大容量为96GB。
明年，它将推出支持5纳米逻辑SoC和3倍光罩尺寸的CoWoS技术。
中介层支持 CoWoS 技术，具有最多 8 个 HBM2e 内存和最高 GB 容量。
由于HPC芯片的生产进度持续半年，最近的COVID-19疫情带动了服务器的需求。
但上半年CoWoS生产仍按计划进行，并未出现因疫情蔓延而导致订单增加的情况。
台积电的InFO封装技术是针对手机芯片而开发的。
Apple的A系列应用处理器是InFO_PoP封装的最大客户。
台积电于2019年开始将InFO_oS技术应用于HPC芯片，并进入量产。
据估计，InFO_oS技术可以有效地将9个芯片集成在同一个芯片封装中。
至于应用于人工智能推理芯片的InFO_MS技术，已于去年下半年获得认证，可支持1x掩模尺寸内插器并集成HBM2内存。
今年，台积电进一步升级InFO技术，推出支持超高计算性能HPC芯片的SoW封装技术。
最大的特点是集成了芯片阵列、电源、散热模块等，并采用了高达6层的布线再分配（RDL）工艺技术。
，集成多个芯片和配电功能，然后安装在散热模块上，无需基板和PCB。
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