美国商务部调查供应链
06-06
“随着第三代半导体材料、器件及应用技术的不断突破，甚至可能引发21世纪上半叶新的信息和能源技术革命。
”在近日召开的以“宽禁带半导体发光发展战略”为主题的香山科学会议上，与会专家指出，宽禁带半导体核心技术一旦解决，必将引起应用格局的巨大变化。
时至今日，半导体发展已经历了三代变革，极大地影响了社会发展进程。
以硅为代表的第一代半导体的发展，带来了微型计算机、集成电路的出现和整个信息产业的飞跃。
砷化镓、磷化铟等第二代半导体的出现，推动了信息高速公路的兴起和社会信息化。
第三代半导体材料是指氮化镓、碳化硅、氧化锌等宽带隙半导体材料。
本次会议执行主席为中国科学院长春光机所研究员沈德震和中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院院士夏建白。
科学，先后作出主题评论。
报告指出，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料由于禁带宽度大，具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和率、抗辐射能力强等优越性能。
因此，它们广泛应用于短波发光/激光、探测等光电器件和高温、高压、高频、大功率电子和功率器件中，具有广阔的应用前景。
它们不仅可以在较高温度下稳定运行，而且可以在高电压和高频条件下运行。
更耐用、更可靠。
宽带隙半导体在深紫外发光和激光方面具有明显优势。
其中，III族氮化物已成为深紫外光源研究领域的主要代表。
特别是氮化镓基蓝色发光二极管（LED）的发明，引起了人类照明光源的创新。
日本科学家赤崎勇、天野浩和日裔美国科学家中村修二也获得了2016年诺贝尔物理学奖。
由此掀起了深紫外发光和激光器方面宽带隙半导体的研发热潮，带来了巨大的经济效益和社会效益。
益处。
沈德桢指出，我国在氮化镓基短波LED领域的整体水平与美国、日本等发达国家存在显着差距，主要体现在高品质氮化镓和氮化铝同质化方面单晶衬底和低缺陷密度氮化铝镓。
外延生长和高铝成分铝镓氮掺杂工艺等困难。
此外，另一种宽带隙半导体材料氧化锌具有较高的激子结合能和优异的光学性能。
是实现深紫外激光器件的理想材料，将成为铝镓氮在深紫外光电子领域应用的重要补充。
但目前其发展受到P型掺杂技术的严重限制。
为此，与会专家认为，高质量均质单晶衬底制备和p型掺杂技术的突破是宽带隙半导体紫外发光和激光器件进一步发展的关键。
同时，宽带隙半导体单点缺陷的表征与控制也是需要解决的关键科学技术问题。
因此，我国应加大在宽禁带半导体发光领域的投入，解决该领域的核心科技问题，努力拥有更多的自主知识产权，促进应用市场的发展。
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