韩国：碳中和路线图引发争议
06-08
第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议专题报道随着传统硅半导体工艺尺寸不断缩小并逐渐接近其物理尺寸极限下，半导体行业不断积极探索新的技术发展路线，包括新材料、新工艺、新器件结构和系统设计……在此背景下，化合物半导体技术近年来发展迅速。
尤其是在5G通信、人工智能、物联网、自动驾驶、电动汽车等新兴领域的推动下，近年来以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料备受关注。
受到业界的高度关注。
2019年7月17日至20日，第二届亚太碳化硅及相关材料会议（APCSCRM）在北京世纪金源饭店隆重召开。
来自瑞士、美国、日本、瑞典、德国、韩国、台湾等十多个国家或地区的行业专业人士代表出席了会议。
APCSCRM会议地点 APCSCRM会议由中关村天合宽带隙半导体技术创新联盟、SEMI国际半导体行业协会、中国科学院物理研究所、中国晶体学会联合主办。
APCSCRM会议主题包括：宽带隙半导体材料生长与外延技术；宽禁带半导体器件及测试分析技术；宽禁带半导体器件封装模块、系统解决方案及应用；半导体行业标准化和EHS发展。
APCSCRM会议主席、北京天科合达半导体有限公司首席科学家、中科院物理研究所陈小龙教授介绍：APCSCRM是围绕宽禁带的高水平产业界和学术界关注亚太地区碳化硅等半导体相关材料和器件。
研讨会。
会议重点围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物理性能、光电子与电子器件研发、相关设备研发、半导体技术、产业及标准化发展等领域开展广泛交流，促进相互促进。
产学研合作与交流。
APCSCRM会议主席陈小龙教授主持会议。
“近年来，碳化硅等宽禁带半导体已成为全球高科技领域竞争的战略制高点之一，也是国际半导体和材料领域研发的重点。
在光伏逆变器方面，新技术不断涌现。
在能源汽车和5G通信应用的推动下，宽禁带半导体逐渐形成规模化产业，以促进亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业和学术的发展，加强交流与协作。
今年以来，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟联合中科院物理研究所发起并成功主办了亚太碳化硅及相关材料国际会议。
”陈小龙教授表示。
此次APCSCRM会议内容丰富、全面，近70场报告涵盖了宽禁带半导体各个方面，包括材料外延生长、器件制造、封装测试、系统应用和标准建设等，并就宽禁带半导体的发展进行了广泛的交流。
7月17日，会议首日举行了APCSCRM预热会——“宽禁带半导体技术与产业发展高峰对话”。
在北京世纪金源饭店金香厅，来自行业前沿的专家和代表就宽禁带半导体技术产业的发展现状和未来进行了深入探讨。
与会专家认为：当前宽带隙半导体技术正处于快速发展时期，我国在这方面进展很快，宽带隙半导体技术在理论研究和商业应用方面都已趋于成熟。
三菱电机公司首席科学家Gourab MAJUMDAR博士作报告。
APCSCRM会议邀请了日本三菱电机公司首席科学家Gourab MAJUMDAR博士做报告。
古拉布·马琼达尔介绍道。
Gourab MAJUMDAR讨论了宽带隙半导体材料和器件的研究进展以及APCSCRM国际会议将对其产生的影响。
Gourab MAJUMDAR表示：“随着气候变化成为关键的全球性问题，电力电子和功率器件在处理电力方面发挥着重要作用，能量转换和存储挑战受到了广泛关注。
在电力电子应用中，功率密度因素与过去二十年，系统设计取得了显着进步，这一增长的主要贡献来自于更新功率设备的及时开发，这是通过功率芯片技术、封装结构和功能集成概念（如IGBT）的重大多维突破实现的。
近几十年来，在各种应用需求的推动下，IGBT和智能功率模块（IPM）经历了数十年的发展，已广泛应用于工业电机控制、家用电器、铁路牵引、汽车动力总成电子、风车、太阳能发电系统等领域。
在宽禁带功率器件，特别是采用SiC作为未来电力电子基础半导体材料方面也取得了较高的研发成果。
》SEMI中国区总裁巨龙先生做了报告。
SEMI中国区总裁巨龙先生介绍了全球半导体产业的新变化、新情况。
他分析了全球半导体产业的现状并预测瑞士市场战略总监Filippo DIGIOVANNI先生认为，全球半导体行业将经历另一个扩张周期。
意法半导体公司 (STMicroElectronics) 发表了题为“当今市场中的功率宽带半导体解决方案”的报告。
他认为：当前，制造业正在努力应对日益增长的电力需求，这也引发了对更高效能源转换解决方案的追求，也能为汽车行业带来更广泛的电动交通变革。
电动汽车的发展，无论是电池混合动力（BEV）、轻度混合动力（MHV）等，已经开始从概念转向预期的量产。
在此背景下，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的宽带隙功率半导体器件可以通过减少任何功率转换过程中的功率损耗，为降低能耗做出重大贡献。
重大的贡献。
Alpha and Omega Semiconductors张青春教授（美国）的报告题目是：SiC和GaN功率器件的设计、商业化和应用。
他介绍了公司在SiC MOSFET和GaN HEMT功率器件研发方面的进展和重要成果。
他说;功率半导体器件是决定电力电子系统能量调节效率、尺寸和成本的重要元件。
功率器件的进步彻底改变了电力电子技术，当今的市场为不同的应用提供了多种器件。
尽管取得了这些进步，硅功率器件的性能仍接近其极限。
碳化硅和氮化镓等宽带隙半导体材料引起了广泛的关注，因为它们使功率器件能够在更高的效率、更高的功率密度和更高的温度下工作。
目前，宽带隙功率器件尤其是SiC功率MOSFET在电力电子领域广泛应用的主要障碍是与硅器件相比损耗较高。
碳化硅行业将继续强劲增长。
面对2017年以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体电力电子领域4.4亿美元的市场规模，未来五年国内SiC和GaN电力电子器件市场将出现38%的复合增长率。
，我们不禁感叹——宽禁带半导体行业未来的投资机会在哪里？宽禁带半导体的技术瓶颈是什么？ SiC和GaN哪个前景更好？ Ga2O3会突然出现吗？终极半导体金刚石什么时候能用上？ ...围绕这些问题，业界知名企业家、顶尖技术专家、专家学者在APCSCRM会议上共同探讨了宽带隙半导体技术和产业的发展趋势，分享了宽带隙半导体技术的研究现状。
及产业发展现状，探讨宽禁带半导体技术及产业未来发展趋势及投资机会。
碳化硅功率器件具有耐高压、耐高温、开关速度快等优点，可以减少电力传输或转换过程中的能量损耗。
它们已成为太阳能、电动汽车、充电基础设施建设、智能电网等领域备受关注的新兴产品。
据行业市场研究机构预测，未来10年全球碳化硅功率半导体市场将增长10倍左右，从每年不足4亿美元的市场规模发展到全球碳化硅市场规模超过45亿美元美元。
主要推动力来自于电动汽车、电力电子、光伏逆变器等应用市场的增长。
通过这几天热火朝天的APCSCRM会议，我们深深感受到业界对碳化硅功率半导体的殷切期待。
我们希望它们的先进特性和诸多优势能够尽快在电力电子等领域发挥作用。
我们相信，在不久的将来，碳化硅功率半导体一定会给我们带来满意的答案。
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