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06-17
据报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀近日表示，比亚迪汽车级IGBT已达到第五代，碳化硅MOSFET已达到第三代，第四代一代正在开发中。
目前正在计划建设自己的SiC生产线，预计明年将拥有自己的生产线。
为此，比亚迪股份（持有比亚迪半导体72.3%股份）经过8个月的审议，授权公司及比亚迪半导体管理层启动比亚迪半导体分拆上市筹备工作。
比亚迪半导体独立上市再次迈出了实质性的一步。
比亚迪在半导体行业布局较早。
早在2011年就成立了IGBT团队，并于2016年推出了首款自主研发的IGBT芯片，打破了国外公司的技术垄断。
目前，比亚迪已开发出SiC MOSFET。
根据比亚迪公布的计划，预计比亚迪电动汽车将在2020年全面替代碳化硅功率半导体IGBT，整车性能将在现有基础上再提升10%。
碳化硅（SiC）电力电子器件将取代IGBT——这是英飞凌、罗姆等国际知名企业的一致看法。
在新能源汽车领域，碳化硅主要应用于动力控制单元。
目前，主流汽车制造商仍然使用IGBT（绝缘栅双极晶体管芯片），但特斯拉和比亚迪已经开始在Model 3和汉EV车型中使用SiC MOSFET（碳化硅功率场效应晶体管）。
汉EV也是国内首款批量搭载SiC MOSFET器件的汽车。
研究表明，SiC的功率损耗比IGBT低87%。
结合功率半导体在整车中能量损耗比例的数据可以得出，单纯用SiC替代IGBT就可以使车辆的续航里程提升10%左右，这对于极度关注的电动汽车来说是大有裨益的。
电池寿命。
。
- 2019年4月，比亚迪宣布完成全资子公司深圳比亚迪微电子有限公司重组，并正式更名为“比亚迪半导体股份有限公司”。
并拟通过增资扩股引入战略投资者，实现股东结构多元化，并积极寻求比亚迪半导体适时独立上市。
——今年5月，比亚迪半导体完成19亿元A轮融资，投后估值近百亿元。
本轮投资由红杉资本、中金资本、国投创新领投，喜马拉雅资本等多家国内外知名投资机构跟投。
6月，比亚迪半导体获得8亿元A+轮融资。
2019年8月，比亚迪半导体再次获得联通中金、中国电子中金、尚奇资本、博华资本等十余家投资公司的股权融资。
截至目前，比亚迪半导体已高效完成内部重组、股权激励、引入战略投资者等工作。
此外，红杉资本、小米、碧桂园、华强实业等产业资本也是其股东之一。
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