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SK海力士成功开发96层4D NAND闪存

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

SK海力士成功开发层数最多的96层4D（四维）NAND闪存半导体。

11月4日，SK海力士宣布，“公司将主要用于3D闪存的CTF结构与PUC技术相结合，上个月在全球率先开发出96层Gbit 4D NAND闪存半导体，计划今年内实施。

首次量产”。

96层NAND闪存于今年下半年首次量产，由全球第一的三星电子和第二的东芝半导体生产，是目前性能最强的NAND闪存SK海力士去年4月开发出72层3D NAND闪存后，仅用了一年半的时间就攻克了96层半导体技术，该半导体的体积比现在小了30%以上。

72层Gbit 3D NAND闪存可融入智能手机的移动组件中，每个面板可产生的存储容量（位）增加了1.5倍，可同时处理的数据量增加了一倍。

SK海力士强调，新芯片的读写能力比目前的72层产品分别提高了30%和25%。

” SK海力士之所以自称“全球第一”，是因为该公司与其他半导体公司采用的2D NAND浮栅闪存单元技术不同，而是采用电荷陷阱闪存（CTF，Charge Trap Flash） 3D NAND中使用的新技术与外围电路（PUC，Peri Under Cell）结构相结合，PUC技术将用于驱动单元单元的外围电路堆叠在存储数据的单元单元阵列下方。

将公寓楼（NAND闪存）所需的停车场从公寓侧面改建为地下空间，从而提高空间利用效率。

SK海力士计划量产新开发的96层4D NAND闪存半导体。

上个月在忠清北道清州市正式建成投产的M15工厂，SK海力士能否凭借新产品在相对疲软的NAND闪存市场站稳脚跟，争夺NAND闪存市场的主导地位。

已引起越来越多的关注。

SK海力士在全球D-RAM市场排名第二，仅次于三星电子，但在NAND闪存市场排名第四，仅次于三星电子、东芝和西部数据，份额约为10%。

在SK海力士去年的销售额中，NAND闪存的占比保持在22%左右，但今年上半年，这一比例下降至18%。

此外，由于半导体存储器供给增加而需求停滞，今年以来NAND闪存半导体价格已下跌超过9%，进一步助长了“半导体危机论”。

SK海力士计划通过扩大新产品的供应来打破这种危机叙事。

SK海力士成功开发96层4D NAND闪存

SK海力士首先计划在今年内推出配备4D NAND闪存的1TB固态硬盘(SSD)。

固态硬盘是采用NAND闪存半导体存储信息的新一代大容量存储设备。

负责NAND营销的SK海力??士首席执行官Kim Jung-tae表示：“基于CTF技术的96层4D NAND闪存具有业界顶尖的性能和成本优势。

” “我们还在开发使用相同技术的新一代 4D 层 NAND 闪存”。

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