恒泰艾普拟与富华基金共同设立产业并购基金，总规模10亿元
06-18
Imec 展示了 GaN 半桥与驱动器的完全单片协同集成，比利时鲁汶，5 月 7 日 – 今天在年度技术活动 Futuresummits 上，imec，全球领先的纳米电子和数字技术研究与创新中心宣布推出与驱动器单片集成的功能性 GaN 半桥。
该芯片安装在输入电压为48V、输出电压为1V、脉宽调制信号为1MHz的降压转换器测试板上。
这一成就利用了imec的GaN-on-SOI和GaN-on-QST?技术平台来降低寄生电感并提高换向速度。
如今，GaN 电力电子产品以现成的分立元件为主。
半桥——电力系统中的常见子电路——由单独的分立元件制成，要么在单独的封装中，要么集成在一个封装中，特别是对于较高电压范围。
使用硅基氮化镓技术在芯片上实现半桥非常具有挑战性，尤其是在高电压下。
这是因为采用硅基氮化镓技术设计的半桥在性能上受到反向选通效应的限制，该效应会对半桥的高侧开关产生负面影响，而且开关噪声会干扰控制电路。
为了释放 GaN 功率技术的全部潜力，imec 将半桥和驱动器单片集成在一个 GaN-IC 芯片中。
辅以低压逻辑晶体管、一套用于低欧姆和高欧姆电阻器的无源元件以及 MIM 电容器，可以一次实现高端集成电源系统去死吧。
Imec 的解决方案建立在imec 的 GaN-on-SOI 和 GaN-on-QST? 技术平台之上，可通过埋入氧化物和氧化物填充深沟槽隔离实现功率器件、驱动器和控制逻辑的电流隔离。
这种隔离方案不仅消除了对半桥高侧开关产生负面影响的有害背栅效应，而且还减少了干扰控制电路的开关噪声。
通过设计用于驱动高侧开关的共同集成电平转换器、避免栅极输入波形重叠的死区时间控制器以及片上脉宽调制电路，可以制造高度集成的降压和升压转换器。
“有人可能认为使用 SOI 或 QST? 晶圆代替 Si 晶圆会导致技术更加昂贵。
然而，对于 GaN-on-Si，多个分立器件需要单独封装（使用先进的封装来推进 GaN fIMEC 业务开发经理 Denis Marcon 表示：“AST 开关性能）并连接到电路板或封装级别的驱动器和其他元件。
” “相反，利用imec的GaN-IC技术，包括驱动器和模拟模块等在内的完整转换器位于片上，然后可以使用简单的封装技术进行封装（因为频率敏感组件已经连接在片上）。
这极大地节省了最终电力系统的成本。
”为了进一步提升这些单片集成电源系统的性能，imec 旨在通过肖特基二极管和耗尽型 HEMT 等其他共集成组件来扩展其平台。
imec GaN 电力电子项目总监 Stefaan Decoutere 评论道：“为了进一步促进 GaN 电力电子领域的创新，该 GaN-IC 平台可通过我们的多项目晶圆 (MPW) 服务进行原型设计。
” “高端产品的可能性无论是在开关速度、工作频率还是能源效率方面，电力系统都具有前所未有的性能，并且电感寄生效应降低，外形尺寸也得到了前所未有的缩小，这将进一步促进 GaN 在消费和可重复使用能源细分市场中电源的使用”。
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