全球领先的特种工艺纯晶圆代工公司华虹半导体宣布其95纳米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存储器正式上市(eNVM,嵌入式非易失性存储器)工艺平台通过不断创新和升级得到进一步增强,其可靠性也相应显着提高。
华虹半导体的95纳米SONOS eNVM工艺技术广泛应用于微控制器(MCU)、物联网(IoT)等领域,具有稳定性好、可靠性高、功耗低等优点。
与上一代技术相比,95nm SONOS eNVM 5V工艺实现了更小的设计规则,实现了同类产品芯片面积的缩小;逻辑部分芯片的门密度比现有行业同类工艺高出40%以上,达到行业领先水平;所需的掩模层数更少,提供了更具成本效益的解决方案。
同时,95nm SONOS eNVM 5V工艺,集成度更高,器件性能领先,存储介质擦/写特性达到2毫秒的先进水平;低功耗器件的驱动能力提升了20%,仅5V器件即可覆盖V至5.5V的1.7宽电压应用。
华虹半导体不断深化发展。
95纳米SONOS eNVM采用了全新的内存结构和优化的工作电压,大大增加了阈值电压窗口。
在相同测试条件下,SONOS IP具有10000次写入和擦除能力,可靠性提升20倍。
85℃下数据保存能力可达30年,处于国际领先水平。
华虹半导体致力于不断优化工艺水平,同时提高数据保留能力并增加擦除和写入次数,以更好地满足市场对超高可靠性产品的需求。
此外,随着高可靠性工艺平台和衍生工艺的普及,公司基于SONOS工艺的eNVM也可以覆盖MTP(多次可编程存储器)应用。
通过简化设计、优化IP面积、减少测试时间,使其具有更好的性能,在IP面积、测试时间、功耗和擦除能力方面比MTP更具竞争力。
在此基础上,增加了配套可选器件,进一步满足电源管理和射频产品的需求。
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“嵌入式非易失性存储器技术一直是华虹半导体的‘王牌’之一,始终保持行业领先地位,为华虹半导体提供了灵活多样的存储解决方案。
为广大MCU客户提供技术平台。
在“8英寸”战略定位指引下,公司通过缩小存储单元IP面积、减少光掩模层数,进一步强化8英寸平台上的嵌入式闪存技术工艺;同时,我们利用12英寸平台进一步强化了嵌入式闪存技术。
小线宽特性打造了高性能嵌入式非易失性存储器工艺技术平台,不仅巩固了其在智能卡芯片制造领域的领先地位,而且满足了物联网等高增长市场的需求、MCU、汽车电子等。
关于华虹半导体华虹半导体股份有限公司(“华虹半导体”,股票代码:.HK)(“公司”)是全球领先的专业工艺纯晶圆代工公司,专注于嵌入式非-易失性 拥有柔性存储器、功率器件、模拟和电源管理、逻辑和射频等特殊工艺平台,其优秀的质量管理体系也满足汽车电子芯片生产的严格要求。
华虹集团是一家以集成电路制造为主营业务、拥有先进的8英寸生产线工艺技术的企业集团,公司在金桥拥有3个8英寸晶圆工厂(华虹一厂、二厂、三厂)。

上海张江,月产能约18万片;同时在无锡高新技术产业开发区建设12英寸晶圆工厂(华虹七厂),规划月产能为40,000 片晶圆。
华虹七厂于2018年正式竣工并投入生产运营,在此期间成为中国大陆领先的12英寸特种工艺生产线,也是中国大陆第一条12英寸功率器件代工生产线www。
华红恩典网。
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