据悉，台积电等芯片代工厂将降价20%
06-06
雷锋网原标题：《台积电公布最新技术进展！3nm明年量产，汽车、射频芯片制程也升级》台积电举办年度技术研讨会分享先进逻辑技术、特殊技术、3DFabric至于最新进展，由于疫情尚未消退，台积电仍沿用去年的线上模式举办本次论坛。
台积电首席执行官魏哲家在会上表示：“数字化转型为半导体行业开辟了充满机遇的新世界，我们的全球技术研讨会强调了我们增强和扩展技术组合以释放客户创新潜力的多种方式。
”资料台积电为 5nm 系列增添新成员，以满足汽车计算需求 台积电已将其领先的工艺节点分为三个产品系列：7nm、5nm 和即将推出的 3nn 工艺节点，正如许多人在过去几年中注意到的那样。
台积电自2016年推出7nm节点并实现大规模量产以来，在芯片制造领域超越了竞争对手，取得了领先地位，时至今日依然如此。
迄今为止，台积电7nm芯片出货量已超过10亿颗，并已纳入日趋成熟的工艺流程。
并且随着众多客户向更先进工艺节点迁移，7nm产能增速放缓，年产能预计仅增长14%，与此前16nm工艺系列产能进度类似。
相应地，代工厂目前主要专注于5nm和即将推出的3nm芯片产品。
台积电5nm工艺节点今年以来已开始量产，为数亿颗SoC提供动力。
一方面，越来越多的公司正在设计更多的5nm产品。
另一方面，台积电拥有全球约50%的EUV半导体设备（ASML产量占出货量的70%），因此台积电的5nm进展非常顺利，本次技术研讨会又增添了一位新成员——N5A。
据台积电官方介绍，N5A工艺旨在应对当今汽车应用对计算能力日益增长的需求，例如支持AI辅助驾驶和座舱数字化。
N5A将当今超级计算机中使用的技术引入汽车，同时满足AEC-Q2和其他要求。
它满足N5的性能、功耗和逻辑密度，同时满足汽车安全和质量标准的可靠性要求。
得益于台积电汽车设计平台的支持，N5A计划于今年第三季度推出。
3nm明年量产，5G射频升级到6nm。
台积电还透露了其4nm和3nm的最新进展。
4nm增强版，采用与N5几乎相同的设计规则，在性能、功耗和整体管密度上都有进一步的提升。
通过逻辑的光学缩小、标准单元库的改进以及设计规则的提升，N4的晶体管密度比N5更高。
6%。
台积电还称，N4自2019年技术研讨会上宣布以来，进展顺利，预计将于2020年第三季度开始量产。
图片台积电 3nm 依靠经过验证的 FinFET 晶体管架构来实现最佳性能、功耗和成本效益。
与N5相比，台积电N3性能提升15%，功耗降低30%，逻辑密度提升70%。
%，预计下半年开始量产，同时成为全球最先进的芯片制造技术。
手机SoC工艺拥有巨大的市场也就不足为奇了。
现在5nm已经成为旗舰手机的标准。
随着台积电开始量产3nm，可以预见，各家手机厂商的旗舰手机SoC也将更新至3nm。
不过，射频芯片的升级并不像手机SoC工艺那样频繁，仍然采用16nm左右的工艺，但这种情况未来可能会改变。
与4G相比，5G智能手机需要更大的芯片面积并消耗更多的功耗来提供更高的无线传输速率。
支持5G的芯片集成了许多功能和组件，尺寸变得更大，并与电池争夺空间。
因此，在本次研讨会上，台积电首次推出N6RF工艺，将其先进逻辑工艺的功耗、性能和面积优势带到5G射频（RF）和WiFi 6和WiFi 6E解决方案中。
预计N6RF晶体管的性能将比上一代16nm射频技术提高16%以上。
此外，台积电还表示，N6RF支持6GHz以下和毫米波频段的5G射频收发器，在不影响提供给消费者的性能、功能和电池寿命的情况下降低功耗和面积。
台积电 N6RF 还将增强 WiFi 6/ 6E 性能和功效。
持续拓展3DFabric先进封装的台积电也公布了其在先进封装方面的最新进展。
在高性能计算应用领域，台积电将在2020年为其InFO_oSCoWoS封装解决方案提供更大的掩模尺寸，为小芯片和高带宽存储器集成提供更大的二维平面。
此外，台积电的SoIC-CoW预计今年完成N7-to-N7验证，并于2020年在新的全自动化晶圆厂开始生产。
在移动应用领域，台积电推出了InFO_B解决方案，集成了强大的将移动处理器装入轻薄紧凑的封装中，具有增强的性能和更高的功效。
值得注意的是，在同期举行的Computex大会上，AMD展示了其3D Chiplet的首次应用，并声称通过与台积电的密切合作，其3D Chiplet技术比当前的3D封装解决方案消耗更少的能源。
，堆叠更加灵活。
AMD还表示，预计将在年底前开始生产采用3D小芯片的高端计算产品。
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