【全球财经24小时】2023年12月22日
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美光科技宣布推出适用于旗舰智能手机的尖端移动 3D NAND 解决方案西班牙巴塞罗那,2019 年 2 月 26 日(全球通讯) - Micron Technology Ltd.(纳斯达克股票代码:MU)今日宣布推出三款全新64层第二代3D NAND存储产品,支持高速通用闪存存储(UFS)2.1标准。

全新美光移动 3D NAND 产品有 GB、GB 和 64GB 容量选项。
全新移动解决方案基于美光业界领先的三级单元 (TLC) 3D NAND 技术,可帮助智能手机制造商通过人工智能 (AI)、虚拟现实和面部识别等下一代移动功能增强用户体验。
人工智能在旗舰手机中的出现正在推动对更先进的存储解决方案的需求,这些解决方案可以更快速、更高效地访问数据。
分析师Gartner预测,到2020年,80%的智能手机将具备AI功能,这将增加本地处理和存储更多数据的需求。
1 此外,随着智能手机成为摄影和多媒体共享的首选设备,对存储容量的需求将持续大幅增长,目前旗舰手机的容量已高达 GB,预计到 2020 年容量将增长至 1TB。
新美光 64多层 TLC 3D NAND 存储解决方案通过针对移动设备优化的架构满足这些需求,以更小的占地面积提供更大的容量,同时提供一致的高性能和低延迟。
美光移动产品集团营销副总裁 Gino Skulick 表示:“我们都希望我们的智能手机能够提供大胆的新功能,而存储在其中发挥着越来越重要的作用。
” “美光独家提供移动 DRAM 和 3D NAND,我们“尖端设计将继续提供最先进智能手机所需的性能。
” 64 层 TLC 3D NAND:为移动设备的未来提供动力 这款移动 3D NAND 产品将更多存储单元封装到更小的芯片面积中,并利用美光阵列下的 CMOS (CuA) 设计提供一流的芯片面积。
美光的独特方法将所有闪存层置于逻辑阵列之上,从而最大限度地利用智能手机设计中的空间。
美光的第二代 TLC 3D NAND 移动技术提供了多项竞争优势,包括以下新功能: 美光的移动优化架构可提供一致的高性能和低延迟,增强用户体验,同时利用高效的峰值功率管理系统最大限度地降低功耗。
全新美光 64 层 TLC 3D NAND 产品比上一代 TLC 3D NAND 快 50%。
美光的64层3D NAND技术的存储密度是上一代TLC 3D NAND的两倍,但封装尺寸保持不变。
UFS 2.1 G3-2L 接口规范可为移动应用提供极具吸引力的性能和比 e.MMC 5.1 高出 % 的带宽,同时还提供同步读写功能。
这为捕捉高分辨率照片突发或将 4K 视频录制到存储时提供所需的数据访问速度奠定了基础。
新产品基于 32GB 芯片,尺寸为 59.mm2,是市场上业界最小的 32GB TLC 3D NAND 芯片。
2关于美光科??技 美光科技是创新存储解决方案的全球领导者。
通过其全球品牌 Micron?、Crucial? 和 Ballistix?,美光丰富的高性能存储技术组合(包括 DRAM、NAND、NOR 闪存和 3D XPoint? 存储)正在改变世界利用信息来丰富生活的方式。
凭借近 40 年的技术领先地位,美光的存储解决方案在云、数据中心、网络和移动等关键市场中推动了人工智能、机器学习和自动驾驶等颠覆性趋势。
美光科技的普通股在纳斯达克交易,代码为 MU。
有关美光科技公司的更多信息,请访问 micron.com。
? 美光科技有限公司。
保留所有权利。
信息、产品和/或规格如有变更,恕不另行通知。
Micron、Micron 徽标、Crucial、Crucial 徽标、Ballistix 和 Ballistix 徽标是 Micron Technology, Inc. 的商标。
3D XPoint 是 Intel Corporation 或其子公司在美国和/或其他国家/地区的商标。
1 Gartner 市场洞察:人工智能智能手机正在创造新商机的 10 个用例。
资料美光科技。
基于美光 B16A 32GB TLC 3D NAND 芯片与竞争性 32GB TLC 3D NAND 芯片的内部测量结果。
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