看新视野NO.06｜金沙江周奇：科技投资者要坚持长期潜伏，善于把握技术成熟度
06-18
投资社区（ID：pedaily）4月4日消息，近日，镓仁半导体宣布完成千万天使轮融资。
本轮由蓝驰创投领投，玉泉资本跟投。
本轮融资将用于加强团队建设，加速氧化镓衬底材料新方法及中试线研发。
杭州镓仁半导体有限公司于今年9月成立。
是一家专注于超宽带隙半导体单晶衬底及氧化镓等外延材料研发、生产和销售的科技型企业。
公司首创了非导模氧化镓单晶生长新技术，打破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底材料。
公司创始团队来自浙江大学硅材料国家重点实验室和浙江大学杭州国际科技创新中心。
目前，公司已组建以中科院院士为首席顾问的研发和生产团队，将持续为我国电力电子等行业的发展提供物质支撑。
随着2018年特斯拉采用碳化硅（SiC）、小米采用氮化镓进行快充，宽带隙材料碳化硅和氮化镓获得市场认可并迎来发展机遇，并逐渐从新能源汽车扩展到消费产品。
电子等热门场景不断拓展，探索更多场景。
随着宽带隙半导体的发展如火如荼，氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽带隙半导体材料也开始受到关注。
其中，氧化镓（Ga2O3）是一种受到国际广泛关注和认可并已开始产业化的超宽带隙半导体材料。
据日本富士经济预测，未来10年氧化镓及器件的年复合增长率将超过50%。
在大功率、大电流、高压器件领域具有巨大优势。
同时在中压功率器件和射频器件方面将具有巨大优势。
SiC、GaN、Si IGBT竞争强劲，在节能、性能提升、尺寸缩小等方面具有核心优势。
高品质、低成本的氧化镓单晶衬底是整个产业链的关键。
目前全球只有一家公司能够提供稳定的供应。
它采用导模方法来生产和制备氧化镓衬底。
然而，由于导模法需要大量的金属铱，导致氧化镓晶圆的价格居高不下。
同时，导模法温度梯度较大，导致氧化镓质量难以进一步提升，严重阻碍了其器件的迭代开发。
镓仁半导体首创新型氧化镓单晶生长技术，在成本控制、尺寸放大、质量提升和智能制造等方面具有极其明显的优势，有望推动氧化镓材料和器件产业的发展。
镓仁半导体创始人张辉表示，由于电力高效利用的迫切需求，我国功率器件和材料产业将迎来更加快速的发展。
经过多年研究，镓仁半导体团队掌握了从设备研发、热场设计、晶体生长、晶体加工、外延生长等全套关键技术，有望解决镓“卡脖子”问题氧化物材料。
兰驰创投表示：“国内新能源汽车、新动力系统等领域的快速发展，对功率半导体材料和器件提出了越来越高的要求。
氧化镓器件作为一种超宽禁带半导体材料，具有良好的性能同时，氧化镓理论成本较低，有望成为未来高性价比功率半导体材料的首选。
兰驰创投相信，在杨德仁院士和张辉教授的带领下，镓仁科技有望成为国内氧化镓领域的龙头企业。
并进一步强化在宽禁带半导体材料与器件领域的竞争优势。
”玉泉资本管理合伙人葛必川表示：“我们看到，随着半导体材料及应用的蓬勃发展，中高压领域（V以上）、轨道交通、新能源汽车、电力传输等领域。
成本更低、功耗更低的器件是市场的刚性需求，氧化镓可以通过熔融法生长。
未来的生产成本远低于气相生长碳化硅和氮化镓。
氧化镓的莫氏硬度与硅相同。
接近、远低于碳化硅，非常容易加工，在高电压、大电流下器件性能可以更好。
未来我们将在这些领域与碳化硅、氮化镓形成一定的竞争和替代。
创始团队相信，在杨德仁院士和张辉教授的带领下，能够进一步推动氧化镓单晶衬底的产业化，推动氧化镓在半导体领域的更大规模应用。
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