7家龙头上市企业、1800多家生物医药企业，石家庄为何如此牛逼？
06-18
中科院微电子研究所。
首创的NOR闪存具有速度快、可靠性高、使用寿命长等优点，在人工智能领域得到广泛应用。
在智能、汽车电子、工业领域发挥着不可替代的作用。
目前常用的平面NOR闪存在50纳米以下的技术世代中遇到了尺寸缩小的瓶颈，难以进一步提高集成密度、优化器件性能和降低制造成本。
为了突破上述瓶颈，研究人员提出了多种基于多晶硅沟道的三维或非(3D NOR)器件。
然而，多晶硅沟道的迁移率低、读取速度慢，影响了NOR器件的整体性能。
近日，微电子研究所集成电路领先工艺研发中心朱惠龙研究员团队研发制备出高性能单晶硅通道3D NOR存储器。
遵循知识产权保护优先的原则，朱惠龙今年以来在器件结构、集成工艺、电路架构等方面提出了多种解决方案并提交了相应的专利申请。
该团队采用了一种新开发的垂直晶体管工艺来制备单晶硅通道的3D NOR三维阵列。
堆叠式晶体管具有单晶硅沟道的高性能优势和三维集成集成的低制造成本。
在实现等于或优于单晶硅通道平面NOR闪存器件的性能的同时，还可以在不升级光刻机的情况下显着提高存储器集成密度和存储容量。
团队研发的3x3x2三维NOR闪存阵列实现了正常的读、写、擦除，达到了与二维NOR闪存器件相当的读取电流、编程、擦除速度的目标。
新工艺与主流硅基工艺兼容，且易于应用。
相关成果以题为“A Novel 3D NOR Flash with Single-Crystal Silicon Channel: Devices, Integration, and Architecture”为封面及“Editors Picks”文章发表在国际微电子顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上。
微电子研究所博士生黄卫星为第一作者，朱惠龙为通讯作者。
这也是朱惠龙研究团队的垂直纳米器件相关成果第二次入选“编辑选择”文章。
该研究得到了中国科学院自主部署项目（Y7YC01X）的部分资助。
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