据悉，台积电等芯片代工厂将降价20%
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《科创板日报》原标题：《第三代半导体大突破！公司打造首批8英寸SiC新能源成最大应用市场》 7月27日，意法半导体（ST）宣布，其位于瑞典诺尔雪平的工厂已生产出首批毫米（8英寸）碳化硅（SiC）晶圆，该晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的原型机。
该公司表示，SiC晶圆升级至mm标志着意法半导体针对汽车和工业客户的扩产计划取得了重要的阶段性成功。
与毫米晶圆相比，毫米晶圆可以提高产能，并且会增加制造集成电路的可用面积。
几乎翻倍，合格芯片产量是毫米晶圆的1.8-1.9倍。
此外，意法半导体正在与供应链上下游的技术制造商合作，开发自己的制造设备和生产工艺。
意法半导体是一家国际功率半导体制造商，专注于汽车级功率半导体。
根据Strategy Analytics最新发布的《年汽车半导体厂商市场份额报告》数据显示，意法半导体、英飞凌、恩智浦、瑞萨和德州仪器是全球前5大汽车半导体供应商。
49%的份额。
SiC芯片供不应求，扩产已成为行业大势所趋。
目前，SiC最大的应用市场是新能源汽车的功率控制单元、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等。
Yole预计，到2020年，新能源汽车和充电桩领域的SiC市场规模将达到17.78亿美元，约占SiC市场总规模的70%。
特斯拉此前曾在 Model 3 中率先使用意法半导体和英飞凌的 SiC 逆变器； 2016年，国产比亚迪新能源汽车“汉”开始在电机控制器中应用SIC-MOSFET模块；今年3月，器件制造商Star Semiconductor公司也宣布扩建其汽车级SIC模块生产线。
但数据显示，目前全球SiC硅片年总产能约为40万-60万片，远远不能满足下游需求。
据了解，Model 3主逆变器需要24个功率模块，每个功率模块基于两个SiC MOSFET管芯，每辆车总共有48个SiC MOSFET管芯。
据此估算，如果逐步采用SiC，平均两辆特斯拉纯电动汽车将需要一块6英寸SiC晶圆。
而如果如Wedbush Securities分析师Dan Ives所说，特斯拉的交付量今年可能达到1万辆，那么仅特斯拉一家就将消耗掉全球SiC硅片的总产量。
在此背景下，包括意法半导体在内的世界级厂商早早就启动了扩产计划，国内众多厂商也在积极参与。
据不完全统计，未来2-5年碳化硅产能将持续增加。
（文/上海，研究员宋子桥）三安为何放弃收购Norstel AB？新语、EETime 6月3日，意法半导体首席执行官Jean-Marc Chery向媒体表示，其全资收购的Norstel AB已成功交付首片8英寸SiC晶圆。
可以说，意法半导体的SiC衬底技术主要来自Norstel。
Norstel 是林雪平大学的附属机构。
据介绍，林雪平大学于2006年开始研发碳化硅单晶，其关键技术是获得专利的高温化学气相沉积（HTCVD）技术。
当时，林雪平大学得到了ABB集团和芬兰晶圆制造商Okmetic的支持，其技术通过Norstel实现了商业化。
今年2月，Norstel在瑞典诺尔雪平开设了碳化硅晶圆厂，该工厂于当年秋季竣工。
其股东包括Okmetic（占股20%），并引进了Eqvitec、Northzone、Creandum等5家机构，总投资2亿瑞典克朗（约1.5亿元人民币）。
当时Norstel认为碳化硅的商业化会顺利进行，他们的董事长还提出了1亿克朗（约合人民币1亿元）的目标。
然而碳化硅的发展道路却是坎坷的。
那年夏天，Norstel 的早期融资用完，公司进入重组。
2019年1月28日，瑞典国有投资公司Fouriertransform以1.1亿瑞典克朗（约合人民币1万元）收购Norstel。
截至当时，Norstel共收到约3.15亿瑞典克朗（约合人民币2.35亿元）。
在此期间，Norstel 取得了多项技术进步。
12月，林雪平大学和Norstel开发了一项新技术，可以将碳化硅的成本降低20倍。
众所周知，碳化硅的制造速度很慢，因此价格昂贵。
Norstel发现通过添加氯可以解决这个问题，Cree也采用了这种方法。
使用传统的外延方法，气体云中的硅烷气体形成不稳定的化合物SiH2。
添加氯会产生更稳定的 SiCl2，这意味着生长更快。
采用传统方法制作0.2毫米左右的外延层通常需要2天的时间。
使用氯，可以在一个下午完成，且不会降低材料质量，这意味着热量、气体和磨损成本降低了 20 倍。
2020 年 9 月，Norstel 还与 Ascatron（被 II-VI 收购）达成合作，共同开发毫米厚碳化硅外延。
当时该项目已经在4英寸基板上实现，后来逐渐过渡到6英寸基板。
然而，Fouriertransform的注资并没有让Norstel获得成功。
由于开发工作和生产设备的投资过于昂贵，Norstel很快就花光了所有的钱。
前后融资总额约为10亿克朗（约合人民币7.46亿元）。
为此，瑞典媒体称Norstel为“投资者的黑洞”。
很快，Norstel再次重组，迎来了中国投资者。
2019年12月30日，安信资本收购Norstel全部股份。
据有媒体报道，安信资本此次收购的资金主要来自福建省政府和国家集成电路产业投资基金，三安光电参与了该基金的管理。
近日，安信资本表示，“此次收购是我们进行的，三安光电只是一个LP。
”瑞典媒体称，中国股东接管Norstel后，希望将其生产流程转移到中国的两家工厂，但该计划遭到瑞典战略产品检验局(ISP)的阻挠，最终失败。
不过，中国股东继续投资Norstel。
在此期间，Norstel取得了一些技术突破，主要是碳化硅衬底从4英寸发展到6英寸。
今年9月，Norstel展示了6英寸碳化硅晶圆，微管密度小于0.2 cm-2，TSD位错低于cm-2。
第一批样品将于今年第一季度交付给客户。
尽管如此，Norstel的销售额却一直难以增长，年收入1万瑞典克朗（约合人民币1万元），年营收1万瑞典克朗（约合人民币1万元）。
随后，中方股东也放弃了。
2017年2月，意法半导体接手并购买了Norstel 55%的股份。
当年12月，意法半导体购买了最后45%的股份，共支付现金交易1亿美元（约合人民币8.89亿元）。
收购Norstel后，今年6月，意法半导体通过政府资助的REACTION项目，建立欧洲首条八英寸SiC测试线，推动欧洲碳化硅技术升级，推动其在汽车电力电子领域的应用。
REACTION项目一期主要开发8英寸SiC衬底及关键设备。
据意法半导体11月份的报告显示，他们已经生产出直径大于8英寸的硅锭，并成功切割成8英寸晶圆，微管密度等参数接近最先进的6英寸商用基板水平。
通过测量发现总堆垛层错面积仅占晶圆总量的3.3%，其RMS值与其他商用6英寸基板相当（例如供应商A的RMS=0.nm；??供应商B的RMS） =0.nm)，其延伸缺陷具有较高的电导率。
该基材的应力值在-.09 MPa至0.94 MPa之间，81个点的平均值为-9.87 MPa。
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