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06-17
国内唯一的DRAM芯片存储基地传来好消息。
据行业公众号文心之声报道，昨天（28日），合肥长鑫12英寸工厂二期工程奠基仪式举行。
据悉，新工厂是为未来进入1y纳米以下（接近15纳米工艺）工艺节点做的前期准备。
按照长鑫的规划，第一个量产的工艺节点是19nm（10G1工艺）。
目前正在开发17nm（10G3工艺），随后计划开发10G4工艺节点（接近国际大厂的15nm/1y nm工艺）。
此次举行奠基仪式的工厂二期主要生产10G4及以下工艺技术的芯片。
此外，该公司计划今年完成17nm工艺DDR5和LPDDR5芯片的研发。
如果合肥长鑫顺利实现计划，有望与三星、SK海力士、美光全球三大DRAM巨头并列，成为第四大DRAM芯片厂。
需求旺盛，存储器行业已进入增长周期。
在终端产品需求旺盛和数据中心复苏的带动下，存储需求大幅增长，推动存储器行业持续增长。
存储巨头美光科技首席执行官对工业存储的高需求持乐观态度，指出NAND和DRAM供应紧张的局面将持续到今年。
广发证券分析师蒲德宇和张晓飞也认为，由于买家急于增加DRAM库存，DRAM价格已正式进入上涨周期。
DRAM Q2的报价涨幅已达到全年峰值，4-6月累计涨幅将达到20-25%。
不过，随着供需缺口持续拉大，分析师对价格上涨空间持乐观态度，认为涨幅不会就此止步。
研究公司TrendForce表示，内存原厂库存较低，DRAM原厂平均库存只有3-4周。
预计第三季度DRAM整体价格将继续上涨3-8%左右； IC Insights也上调产值预测，预计全年将增长41%，并乐观下半年价格将继续上涨。
国内市场空间稳步增大，国产化比重不断加快，存储芯片市场高度集中。
DRAM产品约占市场53%，NAND产品约占42%。
四川证券数据显示，我国存储芯片市场规模已从2017年的45.2亿美元增长至2016年的6亿美元，预计2018年将突破1亿美元。
但目前存储行业主要被垄断由海外企业主导，中国大陆进入该行业较晚。
因此，作为全球最大的存储市场，自给率较低。
针对这一现状，国家出台了《国家信息化发展战略刚要》《中国制造》等一系列产业政策来支持存储产业的发展。
此次，合肥长鑫的DRAM扩产和先进工艺研发无疑是国产化的一剂强心剂。
方正证券分析师陈航曾指出，短期内我国DRAM自主化最大希望是合肥长鑫。
上市公司中，兆易创新与合肥长鑫发挥互补优势，于今年4月签署了《框架采购协议》《代工服务协议》和《产品联合开发平台合作协议》日常交易框架协议，推动双方在DRAM产品销售、代工和工程方面的紧密合作；安吉科技抛光液产品在中芯国际、长江存储等主要客户大规模销售。
兴业证券此前预测，公司今年在合肥长鑫的销量也将快速提升，后者有望成为第三大客户；晶锐i Line光刻胶已供应合肥长鑫、中芯国际、士兰微、扬杰科技等行业领先客户；鼎隆抛光垫产品已获得长江存储、武汉新芯、中芯国际、合肥长江新等国内主流晶圆厂认证。
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