小米618不高兴了：冠军的“卖货压力”
06-18
受需求放缓、供给增加、价格竞争加剧等因素影响，今年最后两个季度内存芯片价格暴跌。
根据TrendForce最新数据，DRAM平均价格继今年第三季度暴跌31.4%后，第四季度扩大至34.4%。
今年第一季度，DRAM平均价格跌幅收敛于13%至18%，第二季度DRAM价格跌幅收窄至10%至15%。
与DRAM市场情况类似，NAND闪存的市场需求也大幅下滑。
今年第三季度和第四季度NAND Flash价格下跌超过20%。
今年第一季度NAND Flash平均价格跌幅收敛于10%-15%，第二季度NAND Flash平均价格继续下跌10%到15%。
可以看到，今年Q1、Q2存储市场的跌幅正在逐渐放缓。
众所周知，存储价格具有很强的周期性。
经过本轮市场下滑后，随着经济和需求的好转，存储市场复苏的迹象正在显现并日益明显。
01 9月份，市场复苏迹象愈加明显。
据TrendForce统计，今年Q3 DRAM平均价格跌幅预计将收敛于0~5%。
NAND Flash平均价格跌幅收敛于3~8%。
下滑的收敛是由于三星、美光科技、SK海力士、西部数据、铠侠等厂商的减产策略所致。
如今，存储市场的供需关系正在加速回归平衡。
三井住友信托银行的Hayato Yamama根据三星电子、SK海力士、美光等厂商的库存资产计算出了“库存周转天数”。
今年4月至6月，平均为天数，高于近期的年内最高纪录。
10月-12月（天数，近10年来最长的时期）缩短了4%。
由于销量好转，市场上也有“DRAM价格不应进一步下跌”的声音。
与此同时，市场现货价格方面利好消息不断传出。
从今年4月份开始，存储芯片现货报价跌幅开始收敛。
6月，市场消息称存储芯片三大巨头集体谋划涨价，目标涨幅高达8%。
8月份，基准产品8GB DDR4的价格为每条1.48美元。
这是连续第四个月环比增长保持不变。
在内存芯片经历了史上最长的库存调整期后，合约市场下游的厂商近日接到原厂通知，第四季度合约价将上涨。
例如，据《韩国经济日报》援引业内人士消息称，三星近期已与小米、OPPO、Google等智能手机品牌客户签署了DRAM和NAND Flash芯片供应协议，价格较现有合同高出10%至20%价格。
受上游涨价合约价格信息调整带动，8-9月现货市场此波涨价开始反弹。
02 存储产品价格全线上涨。
我们先看DRAM。
供给方面，今年以来，DRAM三大龙头因应市场需求低迷，陆续启动减产措施。
进入下半年后，业界再次传出三星将再次减产，而在各大DRAM厂累计减产后，预计第四季DRAM市场供应量将再减少20%。
% 与第三季度相比。
早在今年4月份，美光消费零部件相关部门就正式向经销商发出通知，表示从5月份开始，DRAM和NAND Flash将不再接受低于当前市场价格的询盘——换句话说，美光认为，在现阶段价格已达到最新市场价格，将不再响应降价请求。
需求方面，PC、智能手机等终端电子设备产能呈现大幅增长趋势，这也成为下半年有效降低库存的关键。
由于三大DRAM原厂市场供给持续减少，且终端电子设备装机量每年以50%的速度增长，下半年DRAM价格也有望上涨。
业界预计DRAM将在今年第四季度开始上涨，标志着新的增长周期的开始。
而且，DRAM价格上涨除了减产、清库存等因素影响外，还与人工智能市场有关。
我们再看看NAND。
韩国媒体 Business Korean 本月报道称，三星内部认为 NAND Flash 目前的供应价格过低。
该公司计划从今年第四季度开始将NAND Flash产品的合同价提高10%以上。
新合同预计最快本月完成。
应用新价格。
今年以来，三星不断采取减产措施，晶圆产量大幅下降40%。
最初的减产措施主要集中在DRAM领域，但随着下半年开始，三星开始大幅削减NAND Flash业务的产量。
目前，三星正试图使NAND价格正常化，以实现公司的利润目标。
在三星减产策略下，DRAM领域价格出现反弹，而NAND产品仍有突破空间。
三星旨在进一步扩大减产规模以减少供应并逐步提高产品价格以实现公司的逆转目标。
美光还宣布从9月开始将NAND Flash晶圆合约价格上调约10%。
此举有望改善美光下半年的盈利能力。
不仅如此，随后SK海力士、西部数据、铠侠等厂商也纷纷效仿，涨价10%左右。
为了确保本次涨价达到预期效果，三星和美光甚至在内部发出了明确指令：绝不会亏本出售NAND芯片，必须盈利才可以出货。
在国内存储市场，价格上涨也在自上而下传导。
据中国闪存市场信息显示，受NAND晶圆颗粒价格上涨以及贸易商出货报价走高影响，国内SSD、eMMC/UFS、卡、U盘等成品现货价格全线上涨。
董事会。
其中，SSD的成本价格上涨了20%左右，国内二三线SSD品牌厂商近期开始实施涨价。
部分品牌在8月底就已经小幅上涨，部分品牌在9月份就开始实施涨价。
预计首次成本价涨幅在10%左右，整体涨幅可达15%以上。
预计大部分品牌可能会选择陆续实施多轮涨价策略，主要看市场需求和终端接受程度。
如果市场需求太差，价格持续上涨，涨价可能会受阻。
国内多家主要存储模组厂商近期均向客户宣布将暂停低价订单。
从9月12日最新情况来看，上游方面，1Tb/Gb TLC NAND Flash Wafer已连续数周上调，当周上涨至3.35/1.65美元；而DDR方面，DDR4 16Gb/4Gb eTT价格分别上涨2.38%。
/5.88%；在渠道市场，SSD和内存条价格也普遍上涨。
三星、铠侠、SK海力士等上游NAND Flash原厂开始上调晶圆合约价。
由于下游系统模组厂商手中库存低于正常季节性水平，引发终端抢购潮，包括消费类SSD、存储卡、手机相关产品等。
eMMC、eMCP等元器件价格全线上涨。
据供应链报道，目前平均涨幅在个位数左右。
由于部分存储产品库存水平相对较低，预计第四季度增幅将达到两位数。
03 五大厂商最新8、9月营收，多创新高。
在原始厂商陆续减产后，不少存储厂商近两个月营收环比出现增长迹象，表明需求正在缓慢复苏。
南亚：8月营收新台币25.75亿元，较去年同期减少24.69%，较7月增加5.65%，创九个月新高； 9月营收为新台币27.24亿元，月增5.8%。
同比下降15.03%，业绩再创新高。
群联电子：8月营收新台币39.90亿元，环比增长17.56%； 9月营收新台币50.04亿元，月增25.38%，年增4.05%，重回新台币50亿元大关，创14个月新高。
群联电子表示，8月份SSD模组出货量逐渐恢复，其中PCle SSD模组同比增长约60%，整体NAND位数同比增长近50%。
一些NAND控制芯片的客户库存开始告罄。
随后，9月份SSD模组出货量继续逐步恢复。
其中，PCIe SSD模块的出货量增长了近60%，NAND存储位数的年增长率（BitGrowth Rate）也超过了75%。
华邦电子：8月营收新台币64.24亿元，环比增1.74%； 9月营收新台币67.66亿元，月增5.32%，年减7.96%。
华邦电子表示，8月份DRAM市场略有复苏。
旺宏：8月营收新台币26.01亿元，环比增长19.23%； 9月营收为新台币25.01亿元，环比减少3.8%，年减39.6%。
旺宏表示，车用NOR Flash预计今年下半年将逐季反弹。
威刚：8月营收新台币29.71亿元，环比增长30.40%，创近11个月月度新高。
9月份的结果尚未公布。
不过，威刚指出，其8月份DRAM模组营收较上月大幅增长50%，不仅一举突破14亿元，更创下今年5月以来的月度新高，占比达47.57%。
总收入。
。
SSD单月营收同步反弹至9.98亿元，月增19.89%，营收占比33.6%；闪存卡、U盘等产品占比18.83%。
10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片行业已经挣扎了两年，黑暗即将过去，下半年更有可能出现缺货的情况。
他认为，随着三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，近期NAND和DRAM现货价格已从低谷反弹两位数。
眼看市场即将回暖，2020年存储市场的发展趋势又会如何呢？ 2004年，中国市场将出现DRAM和NAND芯片供应短缺的情况。
近日，三星电子对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。
结果显示，各领域客户的存储库存调整已基本完成，半导体行业将从2020年开始全面反弹。
三星预计，从今年开始，部分领域将出现DRAM和NAND Flash供应短缺的情况，尤其是在中国市场。
三星一位高管提到，越来越多的半导体公司已经完成了库存调整，特别是在与大客户苹果成功进行价格谈判之后。
NAND业务的亏损预计将大幅减少。
服务器DRAM业务方面，北美主要客户的半导体库存调整也进入最后阶段。
数据中心运营商正在扩大基础设施投资，以应对人工智能的需求。
那么未来存储市场的需求驱动因素有哪些呢？ 05 未来哪些存储芯片会更加普及？ 据华晶产业研究院统计，智能手机对DRAM和NAND的需求接近40%。
此外，服务器和PC对DRAM的需求分别达到34%和13%。
手机：大容量LPDDR、3D NAND器件等需求不断增加，国内智能手机市场正在掀起一场内存普及大战。
近一两年，低端手机的NAND Flash容量逐渐从32GB增加到64GB；中端手机逐渐取消RAM 8GB和ROM GB容量配置，全面普及GB；支持RAM 12/16/18GB和ROM GB/1TB容量配置的型号越来越多，并逐渐向中低端渗透。
体现在全球存储容量规模上，全球NAND Flash容量将每年增长6%至1亿GB，全球DRAM容量将增长2%至1亿GB。
可见，未来大容量LPDDR、3D NAND组件等需求将会增加。
PC：DDR5/LPDDR5渗透率提升，GB SSD成为主流。
PC和平板电脑的出货量激增，对DDR内存的需求也大幅增加。
DDR5已开始推向市场。
Intel和AMD都发布了支持DDR5的处理器。
AMD于今年8月发布了Ryzen系列处理器。
首批四款型号包括R9 X、R9 X、R7 X、R7 X，于9月27日正式上市，系列处理器全面支持DDR5，不再支持DDR4内存，足以表明AMD对未来DDR5的信心内存平台。
此外，在PC领域，固态硬盘已经完全取代了机械硬盘。
目前，搭载GB SSD的笔记本电脑已成为主流，搭载1TB/2TB SSD的PC也逐渐增多。
AI服务器：DDR5渗透率快速增长，HBM需求激增。
服务器需求的增长正在成为存储芯片市场的新驱动力。
超大规模数据中心的高性能服务器离不开DDR5的加持。
加之AI效应持续发酵，HBM产品需求激增。
据悉，新年过后，三星和SK海力士两大内存厂商的HBM订单迅速增加，价格也随之上涨。
近期，HBM3规格DRAM的价格上涨了五倍。
据TrendForce研究，高端AI服务器GPU搭载HBM已成为主流。
预计全球HBM需求容量将达到2.9亿GB，同比增长近60%。
TrendForce预计，每年HBM市场规模预计为31.6亿美元，全年市场规模有望突破1亿美元。
从目前各原厂规划来看，集邦咨询估计HBM的位供应量将同比增加2%。
汽车等新兴领域推动存储市场增长。
智能汽车的不断发展也给主流和小众存储带来了新的增长点。
据悉，完全自动驾驶汽车所需的DRAM和NAND将分别是传统汽车的30倍和30倍。
此外，物联网、可穿戴设备、云计算、大数据和安防电子等新兴领域的技术发展将继续引领市场增长。
经过一年的价格波动，存储芯片市场终于开始回暖。
结合几大原厂最新财报数据和市场动态，库存调整已见成效。
预计存储芯片行业最迟今年有望进入量价齐升的上升通道。
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