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灿芯半导体推出第二代DDR低功耗物理层IP

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

灿芯半导体推出第二代DDR低功耗物理层IP 中国，上海 - 2019年3月1日 - 国际领先的定制芯片（ASIC）设计解决方案提供商和DDR控制器和物理层IP供应商——灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）近日宣布推出基于SMIC40LL工艺的第二代DDR低功耗物理层。

IP，与第一代低功耗DDR PHY相比，面积减少20%，功耗减少37%，物理实现时间减少50%。

第二代DDR低功耗物理层IP采用先进的双排IO结构，并采用多项逻辑和物理优化方法，将延迟线面积减少20%，减少每个DQ/DQS的延迟差异，消除它解决了之前物理实现中蛇形布线以及每个DQ上不同数量或不同推力缓冲器的问题，从而提高了硅利用率，提高了DDR速度，并降低了功耗。

第二代DDR低功耗物理层IP具有以下特点：基于SMIC 40LL工艺支持DDR3/3L/3U/LPDDR3 Mbps、DDR2/LPDDR2 Mbps 支持PHY评估训练或软件训练模式支持RD DQS下降沿训练模式 n 支持AHB/APB3.0寄存器接口。

“灿盛半导体拥有10年的芯片设计经验和丰富的DDR IP技术积累。

光明的YouPHY-DDR IP涵盖SMIC28HKMG、SMIC 40LL、SMIC 55LL、nm等工艺，已有超过20颗含有灿盛DDR IP的芯片已成功流片灿芯半导体首席技术官庄志清表示，“我们将持续进行架构创新，提升服务水平”质量并改进实施流程，从而为客户提供更具竞争力的解决方案。

灿芯半导体推出第二代DDR低功耗物理层IP

”关于灿芯半导体灿芯半导体（上海）有限公司是国际领先的定制芯片（ASIC）设计解决方案以及DDR控制器和物理层IP供应商，瞄准高端片上系统（SoC）设计服务。

以及55nm/40nm/28nm以下一站式交钥匙服务，灿芯半导体为客户提供从源代码或网表到成品芯片的一站式服务，致力于为客户提供高性价比、低风险的完整服务。

复杂ASIC设计的整体芯片解决方案。

灿芯半导体于2007年由境内外风险投资公司投资设立，与中芯国际集成电路制造有限公司结成战略合作伙伴关系。

公司总部位于中国上海，拥有北京灿芯创智和北京灿芯创智两家子公司。

合肥布莱廷科技。

还在美国、欧洲、日本和台湾设立营销办事处，为客户提供服务。

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