孙正义投资版图又一家公司破产：浪费100亿
06-18
洪旺株洲站 湖南德智新材料有限公司新马工业园内半导体碳化硅蚀刻环项目已完成主体工程建设，预计明年初投产。
一项“卡住”的高精度技术将在株洲成功产业化。
SiC蚀刻环是等离子蚀刻工艺中半导体材料的关键耗材，是半导体芯片产业链中不可或缺的重要材料。
SiC蚀刻环的纯度要求极高，因此只能采用CVD工艺生长SiC厚层块，然后通过精密加工生产。
它们主要用于半导体刻蚀工艺的准备过程。
长期以来，半导体及配套材料发展一直是我国生产制造的薄弱环节。
但由于其技术壁垒较高，长期被美、日、德等国垄断，一直是“卡壳”关键材料。
一。
湖南德智新材料有限公司董事长柴盘表示，该半导体用碳化硅蚀刻环项目总投资约2.5亿元，主要用于碳化硅蚀刻的研发和制造半导体环。
达产后，年产值将突破10亿元。
2018年，德智新材料落户电谷自主创新园。
随后，其自行设计的国内最大的化学气相沉积设备调试并投入使用。
该设备可在高温、高真空环境下合成镜面纳米碳化硅涂层。
目前，“德智新材”已成为国内最大的单晶太阳能制造商隆基股份等龙头企业的供应商，并与吉林大学、中南大学等知名院校建立了长期合作关系。
“该项目对于国内外产品领域具有一定的前瞻性和拓展性。
”业内人士认为，该项目技术含量高、成长能力强、经济效益好。
有助于突破国外技术封锁。
对于进一步推动国内半导体产业转型升级、扩大株洲经济规模具有重要意义。
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