香港三季度IPO数量跌出全球前三，同比下跌82%
06-17
12月21日——在5G、新能源汽车、高铁列车、能源互联网等新基建战略方向下，以以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体已成为全球半导体技术和产业竞争的焦点。
Cree Wolfspeed 是全球领先的宽带隙半导体创新者和制造商，提供经过验证的 SiC 功率和 GaN RF 解决方案；泰克科技作为测试仪器和解决方案的提供商，为传统测试问题提供创新的解决方案。
双方在宽禁带半导体的开发和测试方面有许多共同的话题和研究，共同努力，分享机遇和挑战。
宽禁带半导体具有高频、高效、大功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能。
满足节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求。
它们是支撑新一代移动通信的关键，新能源汽车、高铁列车、能源互联网等产业自主创新开发和转型升级的关键核心材料和电子元器件成为重点关注的领域。
全球半导体技术与产业竞争。
不同技术的功率器件之间的差异。
如下图所示，传统的硅基IGBT或MOSFET管要么分布在高压低速范围，要么分布在低压高速范围。
市场上传统的检测技术可以覆盖器件特性的测试。
需要。
宽禁带半导体器件SiC/GaN技术日趋成熟。
其高速、高耐压、耐高温、体积小、功耗低等优点越来越多地应用于功率转换产品中。
其性能不同于传统的硅基器件。
然而，功率器件的分布范围大大扩展，涵盖了以前从未出现过的高压、高速领域，这对器件测试工具提出了非常严峻的挑战。
Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽带隙半导体器件的挑战，共同推动宽带隙半导体产业的发展。
Cree Wolfspeed SiC 器件经过优化，可帮助设计人员实现更高的效率、更高的开关频率、缩小系统尺寸、降低系统成本，并提供业界领先的更低导通电阻和开关损耗，包括电动汽车充电系统，非常适合许多应用，包括高-高性能工业电源、服务器/电信电源、储能系统、不间断电源和电池管理系统。
12月23日，Cree Wolfspeed和泰克工程师将共同上台讲解宽禁带半导体器件的使用特点和产品优势，它们在车载充电器（OBC）应用中给系统带来的好处，并结合实际实践波形与传统IGBT在关键参数上的优势，以及如何准确测试和验证关键波形以优化设计，解答宽禁带半导体器件的设计和测试问题。
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