2020中国创新孵化报告发布，火炬中心孵化器办公室陈晴处长解读行业趋势
06-18
硅半导体 红外激光切割技术能够以纳米精度从硅基板进行超薄层转移，彻底改变了先进封装和晶体管微缩的 3D 集成。
EV Group (EVG) 推出了 EVG? NanoCleave? 层释放系统，这是第一个采用 EVG 革命性 NanoCleave 技术的产品平台。
EVGNanoCleave 系统在经过验证的大批量制造 (HVM) 平台上使用红外 (IR) 激光与专门配制的无机脱模材料相结合，以纳米级精度释放硅载体基板上的键合、沉积或生长。
层。
因此，EVGNanoCleave 消除了对玻璃载体的需求，实现了用于先进封装的超薄小芯片堆叠，以及用于前端处理的超薄 3D 层堆叠，包括先进逻辑、存储器和功率器件形成，以支持未来 3D 集成路线图。
第一个 EVGNanoCleave 系统已安装在客户工厂，并且正在客户现场和 EVG 总部与客户和合作伙伴进行近两打产品演示。
硅载体有利于3D堆叠和后端加工在3D集成中，玻璃基板已成为构建器件层的既定方法，通过使用有机粘合剂临时粘合，使用紫外（UV）波长激光溶解粘合剂并释放器件层，然后永久粘合到晶圆上的最终产品。
然而，玻璃基板很难用主要围绕硅设计的半导体制造设备来加工，并且需要昂贵的升级来加工玻璃基板。
另外，有机粘合剂的加工温度一般限制在℃以下，这限制了其在后端加工中的使用。
有机硅支撑件具有无机脱模层，可避免这些温度和玻璃支撑件兼容性问题。
此外，红外激光诱导切割的纳米精度允许在不改变记录过程的情况下加工极薄的器件晶圆。
随后堆叠如此薄的器件层可实现更高带宽的互连，并为下一代高性能器件设计和芯片细分带来新的机会。
下一代晶体管节点需要薄层转移工艺同时，3nm以下节点晶体管路线图需要新的架构和设计创新，例如埋置电源轨、背面电源网络、互补场效应晶体管（CFET）和2D原子通道，所有这些都需要极薄材料的层转移。
硅载体和无机脱模层支持前端制造工艺的工艺清洁度、材料兼容性和高加工温度要求。
然而，到目前为止，硅载体必须通过研磨、抛光和蚀刻工艺完全去除，这导致工作器件层表面发生微米范围的变化，使得这种方法不适合先进节点的薄层堆叠。
“可释放”融合 EVGNanoCleave 利用红外激光和无机释放材料，能够在生产环境中以纳米精度激光切割硅载体。
这种创新工艺消除了对玻璃基板和有机粘合剂的需求，实现了超薄层转移和下游工艺的前端工艺兼容性。
EVGNanoCleave 的高温兼容性（高达?? °C）支持最苛刻的前端处理，而室温红外切割步骤可确保器件层和载体基板的完整性。
层转移工艺还消除了与载体晶圆研磨、抛光和蚀刻相关的昂贵溶剂的需要。
EVGNanoCleave 与 EVG 行业领先的 EVG 系列自动临时键合/解键合和绝缘体上硅 (SOI) 键合系统基于同一平台，具有紧凑的设计和经过 HVM 验证的晶圆处理系统。
EV集团企业研发项目经理Bernd Thallner博士表示：“EVG成立40多年来，公司愿景始终坚定不移，引领新技术探索，服务下一代微纳最近，3D 和异构集成的出现，使得晶圆键合成为 PPACt（功率、性能、面积、成本和上市时间）持续扩展的关键工艺，结合了临时键合和融合的优点。
结合成一个多功能平台，支持我们的客户扩展其在先进封装和下一代规模晶体管设计和制造方面的未来路线图的能力。
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