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英飞凌氮化镓解决方案进入量产

发布于：2024-06-06 编辑：匿名来源：网络

英飞凌氮化镓解决方案进入量产 2020年11月13日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）带来了氮化镓（GaN）解决方案CoolGaN? V增强型HEMT及氮化镓开关管专用驱动IC（GaN EiceDRIVER? IC）亮相2018年德国慕尼黑电子展。

英飞凌展示了其产品的优势：更高的功率密度可实现更小、更轻的设计，从而降低整体系统和运营成本，并减少资本支出。

随着CoolGaN V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出，英飞凌成为目前市场上唯一一家提供涵盖硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）全系列材料的公司。

一家生产系列电源产品的公司。

CoolGaN V增强型HEMT：新发布的CoolGaN V增强型HEMT采用可靠的常关概念，专门针对快速开通和关断进行了优化。

它们可在开关模式电源 (SMPS) 中实现高能效和高功率密度，其品质因数 (FOM) 在目前市场上所有 V 器件中首屈一指。

CoolGaN 开关具有极低的栅极电荷和最小的输出电容，可在反向导通状态下提供出色的动态性能，从而实现显着更高的工作频率，从而通过减小无源组件的整体尺寸来提高功率密度。

英飞凌的 CoolGaN V 增强型 HEMT 在功率因数校正 (PFC) 转换器中具有超高能效（2.5 kW PFC 能效为 99.3%）。

相同能效下的功率密度可达W/in3（3.6kW LLC能效98%）。

在谐振拓扑中，CoolGaN 线性输出电容器可以将死区时间减少到八分之一到十分之一。

英飞凌氮化镓解决方案进入量产

放眼市场，CoolGaN拥有业界领先的可靠性。

在我们的质量控制过程中，我们不仅彻底测试设备本身，还测试其在应用环境中的性能。

这确保了 CoolGaN 开关满足或超过最高质量标准。

CoolGaN V 增强型 HEMT 采用 70 mΩ 和 mΩ SMD 封装，确保出色的热性能和低寄生现象。

通过提供全系列SMD封装产品，英飞凌旨在支持高频运行的应用，例如企业级超大规模数据中心服务器、通信整流器、适配器、充电器、SMPS和无线充电设施。

氮化镓开关专用驱动IC（GaN EiceDRIVER IC）：英飞凌新推出的氮化镓开关驱动芯片EiceDRIVER IC——1EDFK、1EDFF和1EDSH——是CoolGaN增强型HEMT的完美搭档。

它们经过专门开发，旨在确保 CoolGaN 开关稳健高效的运行，同时最大限度地减少工程师开发工作量并加快上市时间。

与传统功率MOSFET栅极驱动IC不同，这款为英飞凌CoolGaN量身定制的栅极驱动IC可以提供负输出电压以快速关断氮化镓开关。

在开关应处于关闭状态的整个持续时间内，GaN EiceDRIVER IC 将栅极电压保持稳定为零。

这可以保护 GaN 开关免受噪声引起的误导通，即使在第一个脉冲时也是如此，这对于稳定的 SMPS 运行至关重要。

氮化镓栅极驱动器 IC 可实现恒定的 GaN HEMT 开关转换速率，该转换速率几乎与占空比或开关速度无关。

这确保了操作的稳健性和高能源效率，显着缩短了开发周期。

它采用电流隔离，可在硬开关和软开关应用中实现稳健运行。

它还在 SMPS 的初级侧和次级侧之间提供保护，如果需要，还可在功率级和逻辑级之间提供保护。

GaN EiceDRIVER 1EDFK 采用 13 引脚 LGA 5x5 mm 封装，1EDFF 采用 16 引脚 DSO mil 封装，1EDSH 采用 16 引脚 DSO mil 封装。

供货情况新型 CoolGaN V 增强模式 HEMT 现已供货，硅基 GaN EiceDRIVER IC 可供预订。

欲了解更多信息，请访问和英飞凌如何生产清洁能源并以快速、低损耗的方式输送给电动汽车？随着我们向云端发送越来越多的数据，是什么让服务器变得更加高效？目前机器人适合人们的日常生活吗？在互联的世界中，我们如何保护自己免受网络攻击？德国最大的半导体制造商正在与客户和战略合作伙伴一起开发面向未来互联世界的解决方案。

11月13日至16日，英飞凌将亮相2018年德国慕尼黑电子展，展示现实世界与数字世界的连接。

欢迎来到英飞凌展位：展位号：C3。

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