探真科技获联想之星数千万元Pre-A轮投资
06-17
内存主要制造商美光科技（Micron）近日宣布完成新加坡 NAND 闪存工厂 Fab 10A 扩建工程。
美光CEO Sanjay Mehrotra表示，新工厂将根据市场需求调整资本支出和产能规划，应用先进的3D NAND制程技术，进一步推动5G、人工智能(AI)、自动驾驶等关键技术的转型。
此外，美光还将加大对中国台湾DRAM工厂的投资，台中工厂的扩建生产线预计将在年底前完成。
14日，美光举行新加坡Fab 10A工厂扩建竣工暨开业仪式。
超过客户及供应商、分销商、美光团队成员、当地政府官员等参与盛会，其中包括系统大厂华硕、内存模块大厂威刚、IC、基板厂晶硕、内存封装等美光在台合作伙伴高层测试工厂力成、IC渠道商文业也亲自出席了仪式。
美克念在新加坡建立了 NAND 卓越中心，包括新加坡 Fab 10 晶圆厂，以及新加坡和马来西亚的封装和测试工厂。
扩建后的Fab 10A工厂将根据市场需求趋势调整资本支出，预计下半年投产。
但在技术和产能转换调整的情况下，Fab 10工厂的总产能保持不变。
美光表示，NAND 卓越中心利用了对新加坡基础设施和技术专业知识的长期投资。
扩建后的Fab 10A为晶圆厂洁净室空间带来了运营灵活性，并可促进3D NAND技术先进工艺节点的技术改造。
。
美光第三代96层3D NAND已进入量产。
第四代3D NAND将从浮栅过渡到替代栅。
Sanjay Mehrotra 强调，美光的 3D NAND 技术和存储解决方案是支持长期增长的关键，同时进一步推动 5G、AI、自动驾驶等关键技术的变革。
在DRAM布局方面，美光将日本广岛工厂作为先进工艺研发的重点。
2017年在台湾设立DRAM卓越中心，使台湾成为美光最大的DRAM生产中心。
美光近年来不断扩大在台湾的投资。
除了台中现有的12英寸工厂外，美光还将加速投资新工厂扩建，预计年底前完成。
台中后端封测厂也持续扩大产能。
随着韩国存储器制造商三星和SK海力士开始评估极紫外（EUV）光刻技术在先进DRAM工艺中的使用，美光也开始评估将EUV技术应用于DRAM生产的成本效益。
随着DRAM工艺从1z纳米向1α、1β、1γ纳米技术推进的过程中，在合适的工艺节点上将会选择EUV技术解决方案。
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