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美光位于新加坡的 Fab 10A 闪存工厂已经扩建,

发布于:2024-06-06 编辑:匿名 来源:网络

内存主要制造商美光科技(Micron)近日宣布完成新加坡 NAND 闪存工厂 Fab 10A 扩建工程。

美光CEO Sanjay Mehrotra表示,新工厂将根据市场需求调整资本支出和产能规划,应用先进的3D NAND制程技术,进一步推动5G、人工智能(AI)、自动驾驶等关键技术的转型。

此外,美光还将加大对中国台湾DRAM工厂的投资,台中工厂的扩建生产线预计将在年底前完成。

14日,美光举行新加坡Fab 10A工厂扩建竣工暨开业仪式。

超过客户及供应商、分销商、美光团队成员、当地政府官员等参与盛会,其中包括系统大厂华硕、内存模块大厂威刚、IC、基板厂晶硕、内存封装等美光在台合作伙伴高层测试工厂力成、IC渠道商文业也亲自出席了仪式。

美克念在新加坡建立了 NAND 卓越中心,包括新加坡 Fab 10 晶圆厂,以及新加坡和马来西亚的封装和测试工厂。

扩建后的Fab 10A工厂将根据市场需求趋势调整资本支出,预计下半年投产。

但在技术和产能转换调整的情况下,Fab 10工厂的总产能保持不变。

美光表示,NAND 卓越中心利用了对新加坡基础设施和技术专业知识的长期投资。

扩建后的Fab 10A为晶圆厂洁净室空间带来了运营灵活性,并可促进3D NAND技术先进工艺节点的技术改造。

美光第三代96层3D NAND已进入量产。

第四代3D NAND将从浮栅过渡到替代栅。

Sanjay Mehrotra 强调,美光的 3D NAND 技术和存储解决方案是支持长期增长的关键,同时进一步推动 5G、AI、自动驾驶等关键技术的变革。

在DRAM布局方面,美光将日本广岛工厂作为先进工艺研发的重点。

2017年在台湾设立DRAM卓越中心,使台湾成为美光最大的DRAM生产中心。

美光位于新加坡的 Fab 10A 闪存工厂已经扩建,

美光近年来不断扩大在台湾的投资。

除了台中现有的12英寸工厂外,美光还将加速投资新工厂扩建,预计年底前完成。

台中后端封测厂也持续扩大产能。

随着韩国存储器制造商三星和SK海力士开始评估极紫外(EUV)光刻技术在先进DRAM工艺中的使用,美光也开始评估将EUV技术应用于DRAM生产的成本效益。

随着DRAM工艺从1z纳米向1α、1β、1γ纳米技术推进的过程中,在合适的工艺节点上将会选择EUV技术解决方案。

美光位于新加坡的 Fab 10A 闪存工厂已经扩建,

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