SK Siltron美国SiC新工厂投产，年产量或达6万片硅片
06-08
据韩媒《Infostock Daily》11月18日援引消息人士称，三星电子已决定建立全EUV（极紫外光）生产线）在美国的生产工厂。
LSI（Large-scale Integrated Circuit，大规模集成电路）工厂。
11月19日消息，据外媒报道，三星电子正在努力追赶台积电，计划今年量产3纳米芯片。
据《InfostockDaily》报道，三星计划投资1亿美元在美国德克萨斯州奥斯汀新建一座12英寸晶圆工厂——这是三星在美国的第二个生产基地，产能达70K。
台湾联合新闻网文章援引业界解读称，三星将扩大在美国7nm以下甚至更先进的3nm先进制程技术的布局，旨在跟上台积电在美国的投资。
韩媒称，三星新工厂预计将使用全部EUV生产设备，这将是三星在韩国以外第一家使用EUV生产的工厂。
这样做的目的就是为了加快与台积电的差距。
该工厂开业后将生产非存储芯片和系统LSI芯片。
不过，韩国媒体的报道并未提及三星将在奥斯汀设立的新工厂是否已通过美国政府的审查或已进入最后阶段。
据三星官方信息显示，今年5月，三星在韩国平泽市启动了5nm EUV工厂建设，华城工厂已经量产5nm。
在韩国，三星共有六个生产基地。
在美国，其此前仅在德克萨斯州拥有一座12英寸工厂，生产65纳米甚至14纳米工艺技术的产品。
三星电子高管 Park Jae-hong 在最近的一次活动中表示，该公司已设定目标，在今年之前批量生产 3 纳米芯片。
该高管透露，三星电子已经与主要合作伙伴一起开发初步设计工具。
三星电子正在向其下一代芯片业务投资 1 亿美元，其中包括为外部客户制造芯片。
三星电子领导人李在镕此前曾透露，该公司计划使用正在开发的最新3纳米环栅（GAA）工艺技术来制造尖端芯片，并将其提供给全球客户。
三星电子已开始量产5纳米芯片，并正在开发4纳米工艺。
在芯片代工业务领域，三星电子目前排名第二。
排名第一的是台积电，去年市场份额为52%。
对于台积电与三星电子的竞争，台积电创始人张忠谋曾表示，三星电子是一个非常强大的对手。
台积电目前占据优势，但是台积电和三星之间的战争肯定还没有结束，台积电还没有赢。
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